运放ne一些参数的讲解.pdfVIP

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NE5534运放芯片一些资料整理: 极限参数: 直流指标: 运放主要直流指标有输入失调电压、输入失调电压的温度漂移(简称输入失调电压 温漂)、输入偏置电流、输入失调电流、输入偏置电流的温度漂移(简称输入失调电流 温漂)、差模开环直流电压增益、共模抑制比、电源电压抑制比、输出峰 -峰值电压、最 大共模输入电压、最大差模输入电压。 NE5532 的直流指标如下: ? 输入失调电压 Vos : 输入失调电压定义为集成运放输出端电压为零时,两个输入端之间所加的补偿 电压。输入失调电压实际上反映了运放内部的电路对称性,对称性越好,输入 失调电压越小。输入失调电压是运放的一个十分重要的指标,特别是精密运放 或是用于直流放大时。输入失调电压与制造工艺有一定关系,其中双极型工艺 (即上述的标准硅工艺)的输入失调电压在 ±1~10mV 之间;采用场效应管做输 入级的,输入失调电压会更大一些。对于精密运放,输入失调电压一般在 1mV 以下。输入失调电压越小,直流放大时中间零点偏移越小,越容易处理。所以 对于精密运放是一个极为重要的指标。 ? 输入失调电压的温度漂移(简称输入失调电压温漂) ΔVos/ ΔT: 输入失调电压的温度漂移定义为在给定的温度范围内,输入失调电压的变化与 温度变化的比值。这个参数实际是输入失调电压的补充,便于计算在给定的工 作范围内,放大电路由于温度变化造成的漂移大小。一般运放的输入失调电压 温漂在 ±10~20μV/℃之间,精密运放的输入失调电压温漂小于 ±1 μV/℃。 ? 输入偏置电流 : 输入偏置电流定义为当运放的输出直流电压为零时,其两输入端的偏置电流平 均值。输入偏置电流对进行高阻信号放大、积分电路等对输入阻抗有要求的地 方有较大的影响。输入偏置电流与制造工艺有一定关系,其中双极型工艺(即 上述的标准硅工艺)的输入偏置电流在 ±10nA~1μA 之间;采用场效应管做输入 级的,输入偏置电流一般低于 1nA 。 ? 输入失调电流的温度漂移(简称输入失调电流温漂) ΔIos/ ΔT: ? 最大共模输入电压 Vcm : 最大共模输入电压定义为,当运放工作于线性区时,在运放的共模抑制比特性 显着变坏时的共模输入电压。一般定义为当共模抑制比下降 6dB 是所对应的共 模输入电压作为最大共模输入电压。最大共模输入电压限制了输入信号中的最 大共模输入电压范围,在有干扰的情况下,需要在电路设计中注意这个问题。 ? 共模抑制比 CMRR : 共模抑制比定义为当运放工作于线性区时,运放差模增益与共模增益的比值。 共模抑制比是一个极为重要的指标,它能够抑制差模输入中的共模干扰信号。 由于共模抑制比很大,大多数运放的共模抑制比一般在数万倍或更多,用数值 直接表示不方便比较,所以一般采用分贝方式记录和比较。一般运放的共模抑 制比在 80~120dB 之间。 ? 电源电压抑制比 PSRR : 电源电压抑制比定义为当运放工作于线性区时,运放输入失调电压随电源电压 的变化比值。电源电压抑制比反映了电源变化对运放输出的影响。对于电源电 压抑制比低的运放, 运放的电源需要作认真细致的处理 , 否则电源的纹波会引入 到输出端。当然,共模抑制比高的运放,能够补偿一部分电源电压抑制比,另 外在使用双电源供电时,正负电源的电源电压抑制比可能不相同。 ? 输出峰 -峰值电压 Vout : 输出峰 -峰值电压定义为,当运放工作于线性区时,在指定的负载下,运放在当 前大电源电压供电时,运放能够输出的最大电压幅度。除低压运放外,一般运 放的输出

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