半导体能带形成之原因-南台科技大学知识分享平台.docVIP

半导体概论 作业 1 能带形成原因 组员 : 陈立文 ( 资料收集 ) 李昇威 ( 资料收集 ) 陈柏羽 ( 资料收集 ) 蔡东翰 ( 资料收集、 word 制作 ) 陈奇宏 ( 资料收集、 word 制作 ) 能带理论 能带理论是用量子力学的方法研究固体内部电子运动的理论。 是於 20 世纪初期，在量子力学确立以後发展起来的一种近似理论。 它曾经定性地阐明了晶体中电子运动的普遍特点，并进而说明了导 体与绝缘体、半导体的区别所在，解释了晶体中电子的平均自由程 问题。 自 20 世纪六十年代，电子计算机得到广泛应用以後，使用电子计算机依据第一原理做复杂能带结构计算成为可能。能带理论由定性发展为一门定量的精确科学。 能带结构简介 固体材料的能带结构由多条能带组成，能带分为传导带 （简称导 带）、价电带（简称价带）和禁带等，导带和价带间的空隙称为能隙。 能带结构可以解释固体中导体、半导体、绝缘体三大类区别的由 来。材料的导电性是由 「传导带」中含有的电子数量决定。当电子从 「价带」获得能量而跳跃至 「传导带」时，电子就可以在带间任意移 动而导电。 一般常见的金属材料，因为其传导带与价带之间的 「能隙」非常小， 在室温下电子很容易获得能量而跳跃至传导带而导电，而绝缘材料 则因为能隙很大 （通常大於 9 电子伏特），电子很难跳跃至传导带， 所以无法导电。一般半导体材料的能隙约为 1 至 3 电子伏特，介於导 体和绝缘体之间。因此只要给予适当条件的能量激发，或是改变其 能隙之间距，此材料就能导电。 三种导电性不同的材料比较，金属的价带与传导带之间没有距 离，因此电子（红色实心圆圈） 可以自由移动。绝缘体的能隙宽度最 大，电子难以从价带跃迁至传导带。半导体的能隙在两者之间，电 子较容易跃迁至传导带中。 矽的能带结构 : 对於间接能隙半导体而言，电子从传导带落至价带 时，能量的释放牵涉到动量守衡，故大部分以声子的形式释放能 量，发光效率不高。 砷化镓的能带结构 : 对於直接能隙半导体而言，电子从传导带落至价 带时，能量的释放不必牵涉到动量守衡，故全部以光子的形式释放 能量。 半导体中的电子所具有的能量被限制在基态（ ground state ）与 自由电子（ free electron ）之间的几个「能带」（energy band）里， 也就是电子所具备的能量必定为不连续的能阶。当电子在基态时， 相当於此电子被束缚在原子核附近；而相反地，如果电子具备了自 由电子所需要的能量，那麽就能完全离开此材料。每个能带都有数 个相对应的量子态（ quantum state ），而这些量子态中，能量较低 的都已经被电子所填满。这些已经被电子填满的量子态中，能量最 高的就被称为价带（ valence band ）。半导体和绝缘体在正常情况 下，几乎所有电子都在价带或是其下的量子态里，因此没有自由电 子可供导电。 导体和绝缘体之间的差异在於两者之间能隙（ energy bandgap ） 宽度不同，亦即电子欲从价带跳入传导带（ conduction band ）时所必须获得的最低能量不一样。通常能隙宽度小於 3 电子伏特（eV）者为半导体，以上为绝缘体。 半导体和导体之间有个显着的不同是半导体的电流传导同时来自电 流与电洞的贡献，而导体的费米能阶（ Fermi level ）则已经在传导 带内，因此电子不需要很大的能量即可找到空缺的量子态供其跳 跃、造成电流传导。 固体材料内的电子能量分布遵循费米 - 狄拉克分布（Fermi-Dirac Distribution ）。在绝对零度时，材料内电子的最高能量即为费米能 阶，当温度高於绝对零度时，费米能阶为所有能阶中，被电子占据 机率等於的能阶。半导体材料内电子能量分布为温度的函数也使其 导电特性受到温度很大的影响，当温度很低时，可以跳到传导带的 电子较少，因此导电性也会变得较差。 直接能隙与间阶能隙 参考资料 维基百科 奇摩知识家