武汉理工材料科学基础课后答案_第七章.docxVIP

第七章答案 7-1略 7-2浓度差会引 起扩散，扩散是否总是从高浓度处向低浓度处进行 ？为什么？ 解：扩散是由于梯度差所引起的，而浓度差只是梯度差的一种。当另外一种梯度差，比如应 力差的影响大于浓度差，扩散则会从低浓度向高浓度进行。 7-3欲使Ca2+在CaO中的扩散直至 CaO的熔点（2600C）时都是非本质扩散， 要求三价离子 有什么样的浓度？试对你在计算中所做的各种特性值的估计作充分说明。已知 CaO肖特基 缺陷形成能为6eV。 解：掺杂MT引起V Ca的缺陷反应如下： 当CaO在熔点时，肖特基缺陷的浓度为： 所以欲使Ca2+在CaO中的扩散直至 CaO的熔点（2600C）时都是非本质扩散， M+的浓度为 ［炉］=［MCi］ = 2［Vy ［叫］目，即［M門 2x3.6xlO6 二 72xlO_° 7-4试根据图7-32查取：（1） CaO在 1145C和1650C的扩散系数值； （2） Al 2^在1393C 和1716C的扩 散系数值；并计算 CaO和 AI2Q中和Al3+的扩散活化能和 D值。 解：由图可知 CaO在1145C和1650C的扩散系数值分别为， Al 2O3在1393C和1716C的扩 散系数值分别为 根据一」「I可得到CaO在 11456 1650C的扩散系数的比值为: 2342787 -，将：一值代入后可得丄一 ,Al 2O3的计算类推。 n ^_10300x4.l8^ 7-5已知氢和镍在面心立方铁中的扩散数据为 一 ，_，: _ ./■ cH^/s和 n 和 / 64000 x 4.18, cm2/s，试计算1000C的扩散系数，并对其差别进行解释。 解：将T=1000C代入上述方程中可得 - ■ ■■■ - ，同理可知 原因：与镍原子相比氢原子小得多，更容易在面心立方的铁中通过空隙扩散。 7-6在制造硅半导体器体中， 常使硼扩散到硅单晶中， 若在1600K温度下，保持硼在硅单晶 表面的浓度恒定(恒定源半无限扩散)，要求距表面 10「3cm深度处硼的浓度是表面浓度的 €朮—= 0 —j— ft 0.5 半，问需要多长时间(已知 D6OOC = 8X10_12cm7s ；当 2血 时，2J刖 )? 解：此模型可以看作是半无限棒的一维扩散问题，可用高斯误差函数求解。 其中-1=0, ,所以有 0.5= 八-「,即「=0.5 , 把 =10「 cm, Di6oot =8X 10 T2cm2/s 代入得 t=l.__ _ .1 s。 7-7 Zn 2+在ZnS中扩散时，563C时的扩散系数为 3X 10一4cH/s ; 450C时的扩散系数为 一 4 1.0 X 10 cm/s，求： (1)扩散活化能和D0;( 2) 750C时的扩散系数；(3)根据你对结 构的了解，请从运动的观点和缺陷的产生来推断活化能的含义；( 4)根据ZnS和ZnO相互 类似，预测D随硫的分压而变化的关系。 解：(1)参考 7-4 得二=48856J/mol , D=3X 1015cm2/s ; (2 )把 T=1023K (2 )把 T=1023K 代入 D 二 ％ exp(- 中可得 --.- I11 ： cmf/s ; 7-8实验测得不同温度下碳在钛中的扩散系数分别为 2X 10^cH/s (736C)、5X 10 一9cH/s -AG —8 2 D = Dt exp( -) (782C)、1.3 X 10 cm/s (838C)。 (1)请判断该实验结果是否符合 )请计算扩散活化能，并求出在 500C时碳的扩散系数。 解：（1）设 解：（1）设 一 9 2 =2X 10 cm/s , =5X 10 一 9cmf/s , L.. =1.3 x 10 一 8cm2/s，二=1009K,二=1055K, 厂2、 =1111Ko将和二，二代入，1 1 ?茁并按照7-4所用方法得 -:=2342787J/mol，同理代入-和二，〔得心 =2342132J/mol 。 Ciiy ，可以认为 D D e . _AG 该实验符合2）由上步可知:=2342787J/mol ； （ 3）将T=773K代入 」『cm2/s。n y 2342787 x （飞31天方3） % q咖. 」『cm2/s。 7-9在某种材料中，某种粒子的晶界扩散系数与体积扩散系数分别为 Cgb= 2.00 x 10 T°exp（— 19100/ RT cm?/s 和 D = 1.00 x 10 — 4exp （— 38200/RT cm?/s，试求晶界扩散系数和体积扩 散系数分别在什么温度范围内占优势？ 解：当晶界扩散系数占优势时有 ，即 2,00x10』卿（-也巴）1,00x10」協 p（-翌2） 人 二丁，所以有 TV1455.6K ;当 T1455.