硅片等级分类及标准.docxVIP

硅片等级分类及标准（ 150× 150） 一、 优等品 ( Ⅰ类片 ) 1、物理、化学特性 ①型号 :P 晶向〈 100〉± 1°； 18 3 ②氧含量 : ≤ 1.0 × 10 at/cm ； ④少子寿命 : τ=1.3-3.0 μ s( 在测试电压≥ 20mv下裸片的数据 ) ； ⑤电阻率 : 0.9-1.2 、1.2-3.0 、3.0-6.0 Ω· cm； 2 2、几何尺寸 ①边长： 125×125±0.5mm； ②对角： 150×150±0.5mm； ③同心度：任意两弧的弦长之差≤ 1mm; ④垂直度：任意两边的夹角 90°± 0.3 °； ⑤厚度： 200±20μ m; ( 中心点厚度≥ 195μ m,边缘四点厚度≥ 180 μm) ±20μ m; ( 中心点厚度≥ 175μ m,边缘四点厚度≥ 160 μm) ⑥TTV：≤ 30μm; ⑦弯曲度：≤ 40μm； 3、表面指标 ①线痕：无可视线痕； ②目视表面：无沾污、无水渍、染色、白斑、指印等； ③无崩边、无可视裂纹、边缘光滑、目视无翘曲； 二、 合格品（Ⅱ类片） 1、物理化学特性 ①型号 :P 晶向〈 100〉± 1°； 18 3 ②氧含量 : ≤ 1.0 × 10 at/cm ； ④少子寿命 : τ=1.0-1.2 μ s( 在测试电压≥ 20mv下裸片的数据 ) ； ⑤电阻率 :0.5-0.8 Ω· cm； ⑥位错密度：≤ 3000 个/cm2； 2、几何尺寸 ①边长： 125×125±0.5mm； ②对角： 150×150±0.5mm； ③同心度：任意两弧的弦长之差≤ 1.5mm; ④垂直度：任意两边的夹角 90°± 0.3 °； ⑤厚度： 200±20μm;( 中心点厚度≥ 195μ m,边缘四点厚度≥ 180 μm) 180±20μm;( 中心点厚度≥ 175μ m,边缘四点厚度≥ 160 μm) TTV：≤ 30μm; ⑦弯曲度：≤ 40μ m； 3、表面指标 ①线痕：无明显线痕、触摸无凹凸感。 ②崩边范围：崩边口不是“ V”型、长×深≤ 1×0.5mm，个数≤ 1 个/ 片；无可视裂纹、边缘光滑、目视无翘曲； 三、 等外品（Ⅲ类片） 1、物理、化学特性 ①型号 :PN 晶向〈 100〉± 3°； 18 3 ②氧含量 : ≤ 1.0 × 10 at/cm ； ④少子寿命 : τ＜ 1.0 μ s( 在测试电压≥ 20m下裸片的数据 ) ； ⑤电阻率 : ≤ 0.5 Ω· cm； 2 2、几何尺寸 ①边长： 125×125±1.0mm； ②对角： 150×150±1.0mm； ③同心度：任意两弧的弦长之差≤ 1.5mm; ④垂直度：任意两边的夹角 90°± 0.5 °； ⑤厚度：＜ 160μm 3、表面指标 ①有明显线痕、触摸有凹凸感。 说明：只要满足第三条“等外品（Ⅲ类片） ”的任意一项就 判为不合格品。 品 管 部 2008年 11月 11日