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Nand Flash 结构与读写分析 #1 今天在利用ARM7上的nandflash控制器驱动，ID已读取成功，擦写，读取等尚未完成，晚上就在 网上查查相关的知识 ,觉得有一个不错 ,转贴如下 : NAND Flash 的数据是以 bit 的方式保存在 memory cell ，一般来说，一个 cell 中只能存储 一个 bit 。这些 cell 以 8 个或者 16 个为单位， 连成 bit line ，形成所谓的 byte(x8)/word(x16) ， 这就是 NAND Device 的位宽。这些 Line 会再组成 Page. (Nand Flash有多种结构，我使用的 Nand Flash是K9F1208,下面内容针对三星的 K9F1208U0M)，每页 528Byte，每 32 个 page 形成一个 Block， Sizeof(block)=16kByte 。 1 block=16kbyte ， 512Mbit=64Mbyte ， Numberof(block)=4096 1block=32page， 1page=528byte=512byte(Main Area)+16byte(Spare Area) Nand flash 以页为单位读写数据，而以块为单位擦除数据。 按照这样的组织方式可以形成所谓的三类地址： --Block Address -- Page Address --Column Address 对于 NAND Flash 来讲，地址和命令只能在 I/O[7:0] 上传递，数据宽度是 8 位。 512byte 需要 9bit 来表示，对于 528byte 系列的 NAND，这 512byte 被分成 1st half 和 2nd half, 各自的访问由地址指针命令来选择， A[7:0] 就是所谓的 column address。 32个page需要5bit来表示，占用 A[13:9]，即该page在块内的相对地址。 Block的地址 是由A14以上的bit来表示，例如 512Mb的NAND，共4096block，因此，需要 12个bit 来表示，即 A[25:14]，如果是 1Gbit 的 528byte/page 的 NAND Flash，则 block address 用 A[26:24] 表示。而 page address就是 blcok address|page address in block NAND Flash 的地址表示为： Block Address|Page Address in block|halfpage pointer|Column Address 地址传送顺序是 Column Address，Page Address，Block Address 。 由于地址只能在 I/O[7:0] 上传递，因此，必须采用移位的方式进行。 例如，对于 512Mbit x8 的 NAND flash ，地址范围是 0~0x3FF_FFFF ，只要是这个范围内的数值表示的地址都是有效 的。以 NAND_ADDR 为例： 第 1 步是传递 column address，就是 NAND_ADDR[7:0]，不 需移位即可传递到 I/O[7:0] 上，而 halfpage pointer 即 bit8 是由操作指令决定的，即指令决 定在哪个 halfpage 上进行读写。而真正的 bit8 的值是 dont care 的。 第 2 步就是将 NAND_ADDR 右移 9 位，将 NAND_ADDR[16:9] 传到 I/O[7:0] 上 第 3 步将 NAND_ADDR[24:17] 放到 I/O 上 第 4 步需要将 NAND_ADDR[25] 放到 I/O 上 因此， 整个 地址传递过程需要 4 步才能完成， 即 4-step addressing。 如果 NAND Flash 的容量是 256Mbit 以下，那么，block adress最高位只到bit24，因此寻址 只需要3步。下面，就x16的NAND flash器件稍微进行一下说明。 由于一个page的main area的容量为256word，仍相当于 512byte。但是，这个时候没有所谓 的1st halfpage和2nd halfpage之分了，所以，bit8就 变得没有意义了，也就是这个时候 bit8 完全不用管，地址传递仍然和 x8 器件相同。除了， 这一点之外， x16 的 NAND 使用方法和 x8 的使用方法完全相同。 正如硬盘的盘片被分为磁道，每个磁道又分为若干扇区，一块 nand flash 也分为若干 block， 每个block分为如干page。一般而言，block、page之间的关系随着芯片的不同而不同，典 型