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电子技术基础复习资料 一、选择题 1、 P 型半导体是在本征半导体中加入微量的（ A ）元素构成的。 A、三价； B、四价； C、五价； D 、六价。 2、稳压二极管的正常工作状态是（ C ）。 A、导通状态； B、截止状态； C、反向击穿状态； D、任意状态。 3、 PN 结两端加正向电压时，其正向电流是（ A ）而成。 A 、多子扩散； B、少子扩散； C、少子漂移； D 、多子漂移。 4、测得 NPN 型三极管上各电极对地电位分别为 VE＝ 2.1V ， VB＝ 2.8V ， VC＝ 4.4V ， 说明此三极管处在（ A ）。 A 、放大区； B、饱和区； C、截止区； D 、反向击穿区。 5、正弦电流经过二极管整流后的波形为（ C ）。 A 、矩形方波； B、等腰三角波； C、正弦半波； D、仍为正弦波。 6、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（ C ） A 、发射结正偏、集电结正偏； B、发射结反偏、集电结反偏； C、发射结正偏、集电结反偏； D、发射结反偏、集电结正偏。 7、基本放大电路中，经过晶体管的信号有（ C ）。 A、直流成分； B 、交流成分； C、交直流成分均有。 8、基本放大电路中的主要放大对象是（ B ）。 A、直流信号； B、交流信号； C、交直流信号均有。 9、分压式偏置的共发射极放大电路中，若 VB 点电位过高，电路易出现（ B ）。 A、截止失真； B 、饱和失真； C、晶体管被烧损。 10、共发射极放大电路的反馈元件是（ B ）。 A、电阻 RB； B 、电阻 RE； C、电阻 RC。 11、功放电路易出现的失真现象是（ C ）。 A 、饱和失真； B、截止失真； C、交越失真。 12、基极电流 iB 的数值较大时，易引起静态工作点 Q 接近（ B ）。 A 、截止区； B 、饱和区； C、死区。 13、同时具有电压和电流放大功能的电路是（ C ） A、共基极放大电路 B 、共集电极放大电路 C 、共发射极放大电路 14、下列说法错误的是（ B ） A、共发射极放大电路具有反相功能 B、共集电极放大电路具有电压放大功能 C、共基极放大电路具有电压放大功能 1 / 4 15、射极输出器是典型的（ C ）。 A 、电流串联负反馈； B 、电压并联负反馈； C、电压串联负反馈。 16、为了提高放大电路的输入电阻和稳定其输出电流，应该采用（ C ） A、 电压串联负反馈 B、 电压并联负反馈 C、电流串联负反馈 17、为了提高放大电路的输入电阻和稳定其输出电压，应该采用（ A、电压并联负反馈 B、 电压串联负反馈 C、电流串联负反馈 18、关于负反馈说法不正确的是（ C ） A、展宽通频带 B 、减少非线性失真 C、并联负反馈使输入电阻变大 D 、提高放大倍数的稳定性  B ） 19、理想运放的两个重要结论是（  B ）。 A、虚短与虚地； B、虚断与虚短； C、断路与短路。 20、集成运放一般分为两个工作区，它们分别是（ B ）。 A、正反馈与负反馈； B、线性与非线性； C、虚断和虚短。 21、集成运放的线性应用存在（  C ）现象，非线性应用存在（  B ）现象。 A 、虚地；  B 、虚断；  C、虚断和虚短。 22、基本积分电路中的电容器接在电路的（  C ）。 A、反相输入端；  B 、同相输入端；  C、反相端与输出端之间。 23、分析集成运放的非线性应用电路时，不能使用的概念是（  B ）。 A 、虚地；  B 、虚短；  C、虚断。 24、逻辑函数中的逻辑“与”和它对应的逻辑代数运算关系为（  B ）。 A、逻辑加  B、逻辑乘  C、逻辑非 25．、十进制数  101对应的二进制数为（  ）。 A、 1011111  B 、1100011  C、 1100101  D、26、和逻辑式  AB 表示不同逻辑关系的逻辑式是（  B ）。 A、  A  B  B 、 A  B  C、  A  B  B  D、  AB  A 27、数字电路中机器识别和常用的数制是（  A ）。 A、二进制  B 、八进制  C、十进制  D、十六进制 28、[ ＋ 88]的补码是（  ）。 A、  B、  C、  D 、 29、具有“有  1出 0、全 0出 1”功能的逻辑门是（  B ）。 A、与非门  B、或非门  C、异或门  D 、同或门 30、下列各型号中属于优先编译码器是（  C ）。 A、 74LS85  B 、74LS138  C、 74LS14