材料物理性能课件-第2章作业2018.pdfVIP

第二章作业： 1. 以n 型半导体为例推导霍尔系数公式，解释霍尔系数揭示的物理含义是什么? 并说明如何利用霍尔效应测量半导体的载流子浓度、电导率和迁移率？ 2. 光照和升温均能改变半导体的电导率，它们之间有何区别？并说明半导体电 阻率随温度变化规律。 3. 硅 半 导体含 有施 主杂质浓度 15 3 和 受主杂质浓度 N 310 /cm D 15 3 ，求在T 300K 时的电子和空穴浓度以及费米能级位置。 N 110 /cm A 已知室温下导带、价带有效状态密度分别为 19 3 、 N 0.810 /cm Ce 19 3 ，硅的本征载流子浓度为 10 3 NVh 1.010 /cm n 1.510 /cmi 4. 2 已知硅半导体 的电子和空穴迁移率分别为 n 1350cm /Vs 和 2 0.2 cm p 480cm /Vs ，问在室温下为了把电阻率为 的p 型硅片变成: 1) 电阻率为0.1 cm 的p 型硅片 2) n 电阻率为0.1 cm 的 型硅片 各需要掺入何种类型杂质,其密度是多少? 5. 已知室温下(27℃)硅半导体本征载流子浓度 10 3 ，电子和空穴 n 1.510 /cm i 2 2 的迁移率分别为n 1350cm Vs 和p 480cm Vs ；分别对掺有下列 杂质的三个硅样品判断导电类型，并计算室温下的载流子浓度和电阻率： 15 -3  （1）3 10 cm 的磷 16 -3 16 -3   （2）1.3 10 cm 的硼和1.0 10 cm 的磷 16 -3 16 -3 17 -3 3 1.310 cm 2.310 cm 3.110 cm （） 的磷、 的硼和 的砷 4 (1) (3) （）讨论在上述 、 情况下，当温度为350℃时的电子和空穴浓度为多少？ 并求 出相应 电阻率 。已知 350 ℃时本征硅 的载流子浓度 为 16 3 ，电子和空穴的迁移率分别为 2 和 n 3.010 /cmi