半导体材料课件-6.2Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体.pdf

第6章III-V族化合物半导体 吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料 第六章III-V族化合物半导体 6-1、III-V族化合物半导体的特性 6-2 、GaAs单晶的生长方法 6-3 、GaAs单晶中杂质的控制 6-4 、GaAs单晶的完整性 6-5、其它III-V族化合物的制备 吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料 中 中 受 两 施 性 性 主 性 主 受 深能级 主 吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料 6-3-1 GaAs中的杂质的性质 施主杂质 Ⅵ族元素 （S,Se,Te ）替代As,浅施主，N型掺杂剂 O在液相外延的GaAs 中有浅施主，也有深施主能级 GaAs 中有浅受主存在时，O施主起补偿作用- 高阻 （半绝缘）的GaAs材料。 受主杂质 Ⅱ族元素 （Be,Mg,Zn,Cd,Hg ），取代Ga,浅受主， P型掺杂剂 Zn 、Cd最常用，同时可与晶格缺陷结合生成复合 体而呈现深受主能级。 吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料 两性杂质 Ⅳ族元素 （Si,Ge,Sn ）呈现两性掺杂特性。 取代III族原子时是施主，取代V族原子时是受主 取决于杂质的性质、浓度及材料制备过程的掺杂条件 GaAs熔体生长和气相外延生长中，GaAs满足化学计 量比，IV族元素择优占据III族元素。Si是每个原子贡 献一个电子的施主杂质，浓度可达1018cm-3 GaAs液相外延时，As 的蒸气压低，Ga空位被抑制， Si主要占据As的晶格点而成为受主杂质。 吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料 中性杂质 III族 （B 、Al 、In ）取代Ga V族 （P 、Sb ）取代As 深能级杂质 过渡元素V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni, 其中V （钒）是 施主杂质，其他是深受主 深能级杂质使GaAs 电阻率大大增加，并因此 获得半绝缘GaAs （Cr、Fe ） 吉林大学电子科学与工程学院 半导体材料 6-3-2 GaAs单晶的掺杂 几乎所有GaAs器件采用外延层做工作层，单晶做衬底。 表6-3列出某些器件对GaAs材料及掺杂元素的要求 GaAs常用的掺杂剂  N型掺杂剂：Te, Sn, Si  P型掺杂剂：Zn  高阻掺杂剂：Cr，Fe ，O 掺杂的方法 不易挥发的杂质直接加入Ga 中  易挥发的杂质 （如Te ）与As放在一起，加热后