硅集成电路工艺基础：第一章 硅的晶体结构.pptVIP

IC设计及制造基本流程 集成电路的设计过程 功能仿真是最基本的仿真验证，是基于设计布线和配置之前进行的，它只能仿真设计中的逻辑功能。通过功能仿真，可以验证整个系统的逻辑功能是否正确。用户可以通过观看仿真的波形来对系统的逻辑功能进行分析，并可以以此为依据，对设计进行必要的修改和完善。时序仿真是在将设计适配到芯片后的仿真验证方式。时序仿真在严格的仿真时间模型下，模拟芯片的实际运作。仿真时间模型将最基本的门级时延计算在内，从而可有效地分析出设计中的竞争和冒险。经过时序仿真验证后的设计基本上与实际电路是一致 芯片制造过程 单项工艺 滑移运动：在应力的作用下在滑移面方向上的运动,另外,位错可以做攀移运动. 攀移运动：指空穴和间隙原子靠热运动移动到位错处，引起半平面扩张或收缩 掺杂造成的影响： 主要是导电性能的巨大变化，电阻率大幅下降，导电性能大幅提升 提升的多少与掺杂浓度有关 轻掺杂和重掺杂 重掺杂可使得禁带宽度变窄 分类 N型掺杂 P型掺杂 掺入多一个电子的原子，电子的运动类似于氢原子中电子的情况。 以上形成的施主或受主，称为类氢杂质能级，其特点为束缚能很小，对于产生电子和空穴特别有效，施主或受主的能级非常接近导带或价带，被称为浅能级杂质。 有限固溶体 无限固溶体 低掺杂浓度可称为稀释固溶体 掌握杂质在晶体中的固溶度，是集成电路和各种器件选择掺杂的重要依据。 三氯硅