硅集成电路工艺基础：第六章 化学气相沉积.pptVIP

温度：在310-450℃之间，淀积速率随着温度的升高而缓慢增加，当升高到某个温度时，表面吸附或者气相扩散将限制淀积过程。 氧气与硅烷比率：在恒定的温度下，可以通过增加氧气对硅烷的比率来提高淀积速率。但如果不断增加氧气的比例，衬底表面存在过量的氧会阻止硅烷的吸附和分解，最终将会导致淀积速率的下降。 当淀积的温度升高时，氧气对硅烷的比例一定要增加直到能够获得最大的淀积速率。如在325℃时，O2:SiH4=3:1，而在475 ℃时， O2:SiH4=23:1。 淀积速率的影响 * 反应原理： 反应系统： PECVD系统； 基本过程： 在200~400oC之间，以氩气为稀释气体，充入反应室进行薄膜淀积； 2) 硅烷与氧化氮反应制备二氧化硅 * 当N2O:SiH4的比例较低时，形成富硅薄膜(有硅纳米颗粒镶嵌在薄膜中)，而且二氧化硅中含有大量的氮，这将使薄膜的折射率增加，可以接近1.46。 当N2O:SiH4的比例较高时，导致较低的薄膜密度和较快的刻蚀速率。 二氧化硅的性质 * PECVD参数对二氧化硅性能的影响 * 低温CVD SiO2—②TEOS为源 工业上一般采用正硅酸四乙酯[Si(OC2H5)4]替代硅烷，也称为TEOS。 室温下是液体 化学性质不活泼 氮气携带（冒泡法） 一定的温度下分解形成二氧化硅 * 反应原理： 反应系统： PECVD系统 基本过程：淀积温度