硅集成电路工艺基础：Chap.10 工艺集成.pptVIP

天津工业大学 CompanyLOGO 天津工业大学 Chap.10 工艺集成 集成电路中的隔离 1 CMOS集成电路的工艺集成 2 3 4 双极集成电路的工艺集成 BiCMOS集成电路的工艺集成 天津工业大学 工艺集成： ——运用各类工艺形成电路结构的制造过程 CMOS集成电路的工艺集成 双极型集成电路的工艺集成 BiCMOS集成电路的工艺集成 天津工业大学 §10.1 集成电路中的隔离 一. MOS集成电路中的隔离 MOSFET源、漏和衬底采用不同的导电类型的材料，所以MOSFET本身是被pn结自隔离的（self-isolated），前提是保证结反偏。提高集成度； 会产生寄生导电沟道，需提高寄生场效应管阈值电压： 增加场区二氧化硅的厚度； 增大氧化层沟道下的掺杂浓度，形成沟道阻挡层 CMOS自隔离及寄生MOS示意图 天津工业大学 MOS电路中隔离的分类 局部场氧化工艺（Local oxidation of silicon，LOCOS） 改进的LOCOS工艺 浅槽隔离（Shallow trench isolation ，STI） SOI技术隔离 天津工业大学 LOCOS工艺流程 硅片清洗 生长缓冲SiO2层 LPCVD淀积Si3N4 涂胶 天津工业大学 LOCOS掩模板 曝光 显影 刻蚀 天津工业大学 去胶 隔离注入 热氧化 刻蚀氮化硅 天津工业大学 LOCO