硅集成电路工艺基础：第四章 离子注入.pptVIP

离子束线控制 ——束阻止 ——底部分析器 束阻止 吸收离子束能量。 离子束探测器—测试束流，束能量和束形状。 水冷金属盘带走热量并阻挡X射线辐射。 底部分析器 法拉第电荷探测器。 用来校准束流，形状和分布。 阱注入 高能量（达到MeV），直接注入到所需深度，无需再推进，减小横向扩散。 低束流（1013/cm2），阱注入杂质浓度低，阱中做器件。 4.5.2、离子注入工艺应用 VT调整的注入 低能量，n阱中注入一浅层硼B，杂质补偿为p型，调整pMOS的VTp。 低束流，达到反型即可。 p阱中同样，注入P。 轻掺杂漏极（LDD） 低能量（达到10keV），浅注入。 低束流（1013/cm2），低浓度。 源/漏极离子注入 低能量（达到20keV），达到源漏深度即可。 高束流（1015/cm2），高掺杂源漏层。 第四章作业 离子注入的概念 离子注入如何控制掺杂浓度和深度？ 说明离子注入深度与入射离子能量和入射离子种类（质量）的关系。 什么是沟道效应，如何避免沟道效应？ 对于轻杂质，形成浅结非常困难，可以采取哪些措施？ 离子注入掺杂后，热退火的目的是什么？ 快速退火技术的主要优点是什么？ 离子注入的特点 * 4.3.2、简单晶格损伤 如果注入的是轻离子，或者是小剂量的重离子，注入离子在靶中产生简单