薄膜材料制备与技术第四篇.pptVIP

由于温度低，原子的表面扩散能力有限，沉积到衬底表面的原子即已失去了扩散能力。同时，薄膜形核所需的临界核心尺寸很小，因而在薄膜的表面上，沉积的粒子会不断地形成新的核心。由于以上两个原因，沉积组织呈现一种数十纳米直径的细纤维状的组织形态，纤维内部陷密度很高或者就是非晶态的结构；纤维间的结构明显疏松，存在着许多纳米尺寸的孔洞。 此种薄膜的强度很低。随着薄膜厚度的增加，细纤维状组织进一步发展为锥状形态，其间夹杂有尺寸更大的孔洞，而薄膜表面则呈现出与之相应的拱形形貌。 形态1型：在温度很低、气体压力较高的情况下，入射粒子的能量很低。这种情况下形成的薄膜微观组织。 此时，沉积的温度仍然很低，沉积过程中临界核心的尺寸仍然很小。但与形态1时的情况相比；原子已具备了一定的表面扩散能力。因此，虽然薄膜组织仍然保持了细纤维状的特征，纤维内部陷密度较高，但纤维边界明显地较为致密，纤维间的孔洞以及拱形的表面形貌特征消失。同时，薄膜的强度较形态1时显著提高。 如上图b所示，形态1组织向形态T组织转变的温度与溅射气体压力有关。溅射气压越低，即入射粒子的能量越高，则发生转变的温度越向低温方向移动。这表明，人射粒子能量的提高有抑制形态1型组织出现，促进形态T型组织出现的作用。 形态T型：介于形态1和形态2之间的过渡型。 此时，原子在薄膜内部的体扩散虽不充分，但原子的表面扩散能力已经很高，已可进行相当距离的扩散。在这种情况下，形成的组织为各个晶粒分别外延而形成的均匀的柱状晶组织，柱状晶的直径随沉积温度的增加而增加。晶粒内部缺陷密度较低，晶粒边界的致密性较好，这使得薄膜具有较高的强度。同时，各晶粒的表面开始呈现出晶体学平面所特有的形貌。 形态2型：当温度介于Ts/Tm=0.3~0.5区间内，原子表面扩散进行得较为充分时形成的薄膜。 衬底温度的继续升高(Ts/Tm 0.5)使得原子的体扩散开始发挥重要作用。此时，在沉积进行的同时，薄膜内将发生再结晶的过程，晶粒开始长大，直至超过薄膜的厚度。薄膜的组织变为经过充分再结晶的粗大的组织，晶粒内部缺陷密度很低，这即是b中所示的形态3型的薄膜组织。 形态3型： 在形成形态2和形态3型组织的情况下，衬底的温度已经较高，因而溅射气压或入射粒子能量对薄膜组织的影响变得比较小。 蒸发法制备的薄膜与溅射沉积薄膜的组织相似，也可被相应地划分为上述四种不同的形态。但由于在蒸发法时，入射粒子的能量很低，一般认为其不易形成形态T型的薄膜组织。 在形态1和形态T型低温薄膜沉积组织的形成过程中，原子的扩散能力不足，因而这两类生长又称为低温抑制型生长。与此相对应，形态2型和形态3型的生长称为高温热激活型生长。 * * 第四篇 薄膜的生长过程和薄膜结构 在前面几章对薄膜沉积技术进行了一定的介绍之后，我们已对基本的薄膜沉积方法及其可能的影响因素有了初步的了解。而薄膜具体的生长过程，它产生的薄膜的微观组织，以及后者与生长条件的密切关系等，是本章需要讨论的问题。 绪 言 第一章 薄膜生长过程概述 第二章 新相的自发形核理论 第三章 薄膜的非自发形核理论 第四章 连续薄膜的形成 第五章 薄膜结构 第六章 薄膜的外延生长 第一章 薄膜生长过程概述 薄膜的生长过程直接影响薄膜的结构以及它的最终性能。像其他材料的相变一样，薄膜的生长过程也可被划分为两个不同的阶段，即新相的形核与薄膜的生长阶段。 在薄膜形成的最初阶段，一些气态的原子或分子开始凝聚到衬底的表面上，从而开始了所谓的形核阶段。 右图是用电子显微镜追踪记录Ag在NaCl晶体表面形核过程的系列照片。 由图片我们看到，在Ag原子到达衬底表面的最初阶段，Ag在衬底上先是形成了一些均匀、细小而且可以运动的原子团。我们有时形象地将这些原子团称为“岛”。这些像液珠一样的小岛不断地接受新的沉积原子，并与其他的小岛合并而逐渐长大，而岛的数目则很快地达到饱和。 在小岛合并过程进行的同时，空出来的衬底表面上又会形成新的小岛。这一小岛形成与合并的过程不断进行，直到孤立的小岛之间相互连接成片，最后只留下一些孤立的孔洞和沟道，后者不断被后沉积来的原子所填充。在空洞被填充的同时，形成了结构上连续的薄膜。小岛合并的过程一般要进行到薄膜厚度达到数十纳米的时候才告结束。 实验观察到的薄膜生长模式可以被划分为以下三种： (1) 岛状 (Volmer—Weber)生长模式： 对很多薄膜与衬底的组合来说，只要沉积温度足够高，沉积的原子具有一定的扩散能力，薄膜的生长就表现为上图a所示的岛状生长模式。即使不存在任何对形核有促进作用的有利位置，随着沉积原子的不断增加，衬底上也会聚集起许多薄膜的三维核心。 岛状核心的形成表明，被沉积的物质与衬底之间的浸润性较差，因而前者更倾向于自己相互键合起来形成三维的岛，而