发光二极体(精).pdfVIP

發光二極體 發光二極體（Light Emitting Diode,LED ），是一種半導體元件。1955 年，美國無線電公司（Radio Corporation of America ）的魯賓·布朗石泰 （Rubin Braunstein ）生首次發現了砷化鎵(GaAs)及其他半導體合金的紅外放 射作用。1962 年，通用電氣公司的尼克·何倫亞克（Nick Holonyak Jr. ）開發 出第一種實際應用的可見光發光二極體。1960 年代，紅光 LED 就已經發明， 而其他顏色的 LED 也相繼出現，但是直到 1990 年代初期，在藍光 LED 發明 之後，全彩化的 LED 才得以實現。初時的 LED 多用作為指示燈、顯示板等； 而現今 LED 的應用範圍很廣，從照明、背光、廣告招牌、交通號誌、紅綠燈、 手電筒、相機閃光燈、裝飾燈等，皆可看到 LED 的蹤跡，隨著白光 LED 的出 現，也被用作照明。它是 21 世紀的新型光源，具有效率高，壽命長，不易破 損等傳統光源無法與之比較的優點。 1-1 發光二極體的發光原理 發光二極體是一種特殊的二極體。和普通的二極體一樣，發光二極體由 半導體晶片組成，它是利用波爾效應定理把電能轉換為光能的一種原件，這 些半導體材料會預先摻雜三價或五價雜質以產生 P 型或 N 型半導體架構。與 其它二極體一樣，發光二極體中電流可以輕易地從 P 極（正極）流向 N 極（負 極），而相反方向則不能。而順向電流是由兩種不同的載子所產生(電洞流和 電子流) ，電洞和電子在正負不同極性的電壓作用下從電極兩端分別流向PN 1 接合面，當電洞與電子相遇產生複合的過程，電子會跌落到較低的能階，同 時以光子的模式釋放出能量而產生光。 能量( eV) 能量( eV) 產生 復合 傳導帶 傳導帶 – – Ec Ec Eg 吸收能量 放出能量 Ev Ev ＋ ＋ 價電帶 價電帶 圖( 5) 電子電洞對的產生與複合 一般二極體主要材料以矽為主，但因為材料矽屬於間接能隙(indirect bandgap)材料，，由於電子經傳導帶往價電帶進行復合時，須加上聲子為維 持動量守恆定律，故在過程中電子會消耗多餘的能量，僅釋放極微弱的光能， 所以看不到發光。而發光二極體 LED 是以化合物半導體為材料，由三價或五 價元素化合組成，如砷化鎵、磷化砷鎵、氮化鎵等，屬於直接能隙材料，所 以可以發光。若半導體傳導帶底端之電子動能與價電帶頂端之電子動能相等， 則稱為直接能隙半導體，否則為間接能隙半導體。能帶圖除上次 PN 接合面 提過的表示方式外，還有另一種表示方法，是以動量為橫座標，能量為縱座 標，當傳導帶的谷值和價電帶的峰值不在同一水平位置，即有動量差時，此 材料稱為間接能隙元件，如矽。反之如兩者在同一水平位置，即沒有動量差 時，稱為直接能隙元件，如砷化鎵，參考圖(1) 。這也就是三五化合物半導體 2 所以比較容易發光的原因。 能量 能量 (ev)