华师电子电路基础作业.pdfVIP

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2021-01-23 发布于天津
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华师电子电路基础作业.pdf

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精品文档 1．第 1 题当 PN结外加反向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层变宽。 A. 大于 B. 小于 C.等于 D.不确定您的答案： A 题目分数： 2.0 此题得分： 0.0 2．第 2 题影响放大器高频特性的原因是（）。 A. 极间耦合电容 B.发射极旁路电容 C.三极管结电容 D.温度您的答案： C 题目分数： 2.0 此题得分： 2.0 3．第 3 题硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（）。 A. 大 B.. 小 C.相等 D.无法判定您的答案： A 题目分数： 2.0 此题得分： 2.0 4．第 4 题在本征半导体中掺入 3 价元素就成为（）型半导体。 A.P 型半导体 B.N 型半导体 C.PN结 D.纯净半导体您的答案： C 题目分数： 2.0 . 精品文档此题得分： 0.0 5．第 5 题测得某放大电路正常工作的晶体管三电极直流电位分别为 12.2V、12V、0V, 则三极管的三个电极分别是（）。 A.(E 、B、C) B.(C 、B、E) C.(B 、C、E) D.(B 、E、C) 您的答案： A 题目分数： 2.0 此题得分： 2.0 6．第 6 题测得 NPN型三极管三个电极的电位分别为 UC=3.3V，UB=3.7V， UE=3V，则该管工作在（） A. 放大区 B.截止区 C.饱和区 D.击穿区您的答案： C 题目分数： 2.0 此题得分： 2.0 7．第 7 题在放大电路中 , 测得三极管三个电极电位分别为 3.2V 、3V、6V，则该管属于（） A. 锗 NPN型 B.锗 PNP型 C.硅 NPN型 D.硅 PNP型您的答案： A 题目分数： 2.0 此题得分： 2.0 8．第 8 题 . 精品文档图示电路是（）电路。 A. 微分电路 B.积分电路 C.指数电路 D.对数电路您的答案： A 题目分数： 2.0 此题得分： 2.0 9．第 9 题在固定偏置放大电路中，当 RC 、RB 的参数分别为（）时，该电路的静态工作点处在放大区。设三极管的 β=100。