39 B 、半导体分类: n- 型半导体 ZnO ; 施主能级 ― 提供电子的附加能级 ( 靠近导带 ) p- 型半导体 NiO ; 受主能级 ― 空穴产生的附加能级 ( 靠近满带 ) 。 40 n 型半导体生成条件 A )非化学计量比化合物中含有过量的金属 原子或低价离子可生成 n 型半导体。 B )氧缺位 C )高价离子取代晶格中的正离子 D )引入电负性小的原子。 P 型半导体生成条件 A )非化学计量比氧化物中出现正离子缺位。 B )用低价正电离子取代晶格中正离子。 C )向晶格掺入电负性大的间隙原子。 41 C. 杂质对半导体催化剂的影响 1 、 n 型半导体 A )加入施主型杂质, E F ↗Φ↘导电率↗ B )加入受主杂质, E F ↘ Φ ↗导电率↘ 2 、 p 型半导体 A )加入施主型杂质 E F ↗Φ↘导电率↘ B )加入受主型杂质 E F ↘ Φ ↗导电率↗ 42 过渡金属氧 ( 硫 ) 化物催化物的应 用及类型 1 金属氧 ( 硫 ) 化物中的缺陷及半导 体性质 2 半导体催化的化学吸附与电子催 化理论 3 过渡金属氧化物催化剂的氧化 — — 还原机理 4 过
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