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硅射频DMOSFET发展现状 李飞 摘要：本文简单描述了硅射频DMOSFET的优势，介绍了LDMOS和VDMOS的发展概况，对比说明了LDMOS和VDMOS在工作频率、输出功率、功率增益和可靠性等方面各自的优势，并对二者的发展方向和前景进行了讨论。 关键词：硅;射频DMOSFET;发展 0 引言 我国早在20世纪60年代中期就开始了对Si基射频功率晶体管的研究，并且生产出了具有高功率、低成本、加工工艺成熟等特点的BJT器件，之后在移动通讯、雷达等领域应用的射频功率器件一直以BJT器件为主。与此同时，在20世纪70年代，科研人员同样开展了对DMOSFET器件的研究。研究表明，DMOSFET器件有很多优势，如[1]：输入阻抗高，因此驱动电路设计简单;电流温度系数为负，热稳定性好;不受二次击穿影响，安全工作区大;多数载流子导电，不存在少子存储效应，开关速度比BJT高十倍以上;可以多胞简单并联工作，获得较高输出功率。因此，Si基射频功率晶体管的研究方向逐渐由BJT器件向DMOSFET器件转移，尤其进入80年代中期到90年代，Si射频功率BJT器件的发展到达极限[1]，因此Si射频DMOSFET异军突起，逐步占领主导地位，直至今日，Si射频DMOSFET已在民用和军用领域都得到了广泛的应用。 1 射频DMOSFET的发展 射频LDMOSFET 1969年Y Tarui等人[2]最早提出了射频LDMOSFET的结构，如图1所示。与早期MOSFET相比，LDMOSFET在结构和工艺上主要有两点不同：1）沟道与漏极之间有一个比较长LDD区，该区域为N型低掺杂区，作用为提高器件的击穿电压;二是沟道主要由不同元素扩散速率的不同来控制，沟道长度为两次扩散的横向结深差，因此沟道可以做得很小并且不受光刻精度的限制，有利于减小载流子漂移时间，提高器件工作频率，再加上增加总栅宽的措施后，器件的电流也可以做得很大。 90年代以來，无线通信市场不断扩大，射频LDMOS器件在500MHz～2.5GHz频段内的蜂窝无线基站领域内开始广泛应用，超过50%的手机基站市场需要硅射频LDMOS器件技术[3]。蜂窝通信市场的发展使得LDMOS的需求量不断增长，市场竞争促进了LDMOS技术快速的进步。各商家不断地通过结构和工艺技术的改进，以满足高输出功率、宽工作频带、高工作效率、高可靠性、降低系统运行成本等市场要求。 进入21世纪以后，LDMOS技术更是发展迅速。，飞利浦公司推出第三代0.8微米LDMOS技术，其代表产品为BLF3G21-30，工作频率为1800～2200MHz，输出功率30W，工作效率为35%，功率增益为13.5dB，比第二代0.8微米LDMOS技术产品的功率增益要高2dB。 ，飞利浦第四代LDMOS技术适用于800MHz到2.2GHz的所有频带，新型0.6um工艺使器件提升了50%的功率密度以及6%的工作效率，功率增益也比第三代技术提高了2dB。另外，第四代LDMOS器件采用多层金属化和金属线间连接技术，提高了器件的可靠性。 第四季度，飞利浦公司推出第五代LDMOS技术，即0.4um工艺技术以及四层金属布线技术，功率密度比第四代高了20%，同时还提高了器件的功率增益和可靠性。到6月，飞思卡尔半导体公司推出第六代高压LDMOS技术，其产品的输出功率从10W到220W，工作效率比前几代产品提高了15%，功率密度提高了50%，部分产品的增益比前几代提高了2dB。同年，恩智浦公司也推出第六代产品，如BLF6G22LS-180PN，工作频率为2000～2200MHz，输出功率180W，功率增益17.5dB，效率27.5%。 6月，恩智浦公司推出了第七代LDMOS技术，产品覆盖了400～3500MHz整个频率范围。第七代的首款产品为BLF7G22LS-200基站功率晶体管，其工作频率为2110～2170MHz，输出功率200W，增益18.5dB，比上一代产品提高了1dB;工作效率为31%，提高了4个百分点;第七代产品还在工作频率上创下新高，最大工作频率可达3.8GHz。8月，恩智浦公司LDMOS技术已发展到第八代，与第七代相比，功率密度提高了15%，其产品BLF8G22LS在2110～2170MHz频率下，平均输出功率为200W，效率27%以上，增益可达20dB，比上一代提高了1.5%。 随着4G在全球的推广，恩智浦半导体公司继续优化适用于无线基站LDMOS射频功率晶体管，并于6月推出第九代LDMOS产品。第九代产品主要针对的是紧凑、高效和高性能的LTE基站。在Doherty应用中，LDMOS晶体管的性能进一步得到提高，效率提升5%以上。同时，第九代LDMO