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总 复 习 器件部分 分析方法 电路部分 一、器件部分 半导体器件（二极管、三极管、场效应管） 集成运放 1、二极管 二极管的应用 稳压管： 工作原理： 利用稳压管的反向击穿特性稳压的，由 于反向特性陡直，较大的电流变化，只会引起较小 的电压变化。 稳压二极管在工作时应反接，并串入一只电阻 2、三极管 三极管放大的内部条件和外部条件 内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。 外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。 对NPN管： UCUBUE 对PNP管： UCUBUE BJT的工作状态的分析方法： 截止 截止状态 发射结 放大状态 临界饱和假定法 正偏 放大状态假定法 饱和状态 放 大 状 态 假 定 法  假定BJT处于放大状态 UBE=UBE(ON)， IC = ?IB 计算UCE 、UCB 集电结反偏 集电结正偏 放大状态 饱和状态  发 射 结 正 偏 临 界 饱 和 假 定 法  假定BJT处于临界饱和状态 UBE=UBE(ON)，UCES=UBE(on) 计算临界饱和电流ICS和IBS IBS = ICS/? IBIBS IB=IBS IBIBS 放大状态 临界饱和状态 饱和状态  发 射 结 正 偏 三极管特性曲线（共发射极） 1. 输入特性曲线 iB=f(uBE)? uCE=常数 2. 共射电路输出 iC=f(uCE)? iB=常数 特性曲线 由PCM、 ICM和U(BR)CEO在输出特性曲线上可以 确定过损耗区、过电流区和击穿区。 输出特性曲线上的过损耗区和击穿区 3、场效应管 JFET N沟道 P沟道 FET 结型 N沟道 场效应管 增强型 MOSFET P沟道 (IGFET) N沟道 绝缘栅型 耗尽型 P沟道 特性曲线 (1)输出特性曲线： iD=f（ uDS ）│uGS=常数 (2)转移特性曲线： iD=f（ uGS ）│uDS=常数 可根据输出特性曲线作出转移特性曲线（在饱和区内） 各种场效应管的转移特性 iD 结型 MOSN沟 N沟 耗尽型增强型 UGS/V 0 3 9 － 1 2 8 － 2 1 7 － 3 0 6 － 4 － 1 5 － 5 － 2 4 － 6 － 3 3 － 3 3 6 0 uDS － 4 2 5 － 5 1 4 可变电阻区 － 6 0 3 7－ 1 2 UGS/V 8－ 2 1 9－ 3 0 耗尽型结型 MOSP沟  P沟 各种场效应管的输出特性对比 参数 UGS(off) 4、运算放大器 运放的组成： 二、分析方法 图解法 等效电路法 运放 波特图 等效电路法 晶体管h参数等效电路和混合?型等效电路 场效应管等效电路 三极管简化的H参数小信号模型。 i ic c H参数的确定 b + +  b + β i + rbe＝r ? (1 ? β) 26mV r + u be b u ce bb? I E (mA) - e - + ? ib 是受控源 ，且为电流控制电流源(CCCS)。 电流方向与ib的方向是关联的。 H参数是小信号参数，即微变参数或交流参数。 H参数与工作点有关，在放大区基本不变。 H参数只适合对交流信号的分析。 混合?型等效电路 简化的混合?型等效电路 Ub e Ub?e  gmUb?e 场效应管等效电路 + u gs —  id d + g uds s - id g d + + + ugs u ds - g m ugs S — - S 其中：gmugs是压控电流源，它体现了输入电压对输出电流的控制作用。 运算放大器 工作在线性区时的特点 虚短 虚断 工作在非线性区时的特点 虚断 波特图 画复杂电路或系统的波特图，关键在于一些基本因子 K ,j f , 1 , 1? j f f f L 1 ? j f Z f P 三、电路部分 基本放大电路 多级放大电路 差分放大电路 反馈放大电路 运算放大器 功率放大器 频率响应 直流稳压电源 ? 基本放大电路 共发射极、共集电极、共基极、共源、共漏 直流通路 求解静态工作点 交流通路 , Ri , Ro 求解 Au 关键:小信号等效电路法 共射放大电路 +Vcc Rb1 R C c + 2 C1 + T + + ui Rb2 Re uo _ _  指标参数： Au ? ? ? ??(Rc?//?RL ) rbe (1 )Re Ri ? Rb1 // Rb2 //?rbe ? (1 ? ? )Re ? Ro ? Rc 特点和典型功能： Au 大，适于小信号电压放大 共集放大电路 R b +VCC C1 RS + T C2 + ui R e RL uS - -  指标参数： ? ? (1? ? )RL Au ? rbe ? (