【电子行业】电子技术基础习题答案.docx

随心编辑,值得下翩有! YOUR COMPANY NAME IS HERE 专业I专注I精心I卓越 【电子行业】电子技术基础习 题答案 Please en ter your compa nys n ame and contentv 中等职业教育电类专业规划教材 电子技术基础练习册 习题答案 丛书主编程周 主 编范国伟 副主编袁洪刚关越 主 审任小平 Publishing House of Electronics Industry Publishing House of Electronics Industry 北京 ? BEIJING 《电子技术基础练习册》习题答案 范国伟 袁洪刚 关越 编写 第一篇 模拟电子技术基础 第 1 章 半导体二极管和三极管 半导体的基本知识 一、填空题 1、（自由电子、空穴、 N 型半导体、 P 型半导体）；（掺杂半导体导电粒子） 2、（电子、空穴） 3、（电子型半导体、五价元素、电子、空穴） 4、（三价元素、空穴、自由电子） 5、（单向导电性、正极、负极、反向电压、反向偏置） 6、（较大、导通、很小、截止） 二、判断题 1、X 1、X 2、“ 3、X 4、X 5、X 、选择题 1、C、 2、B、 3、 C 四、问答题 1、答：PN结的主要特性是单向导电性，即 PN结在加上正向电压时，通过 PN结的正向电 流较大，正向电阻较小， PN 结处于导通状态； PN 结在加上反向电压时，通过 PN 结的反 向电流较小，反向电阻较大， PN 结处于截止状态。 半导体二极管 一、填空题 1、 （单向导电性、正极或阳极、负极或阴极、 V、） 2、 （硅管、锗管、点接触型 、面接触型、检波二极管、开关二极管） 3、 （单向导电性、 0.5、 0.2、 0.7、 0.3） 4、 （最大正向电流Ifm、最大反向工作电压Urm、最大反向电流Irm、一半或三分之一） 5、 （硅、稳压、锗、开关、硅、整流、锗、普通； ） 6、 （过热烧毁、反向击穿） 二、判断题 1、X 2、“ 3、X 4、X 5、X 6、X 三、选择题 1 、 C 2、 B 3、 C 4、 B 5、 C 6、 A 7、 C 四、问答题 1、答：（1） N型锗材料普通二极管；（2） N型锗材料开关二极管；（3） N型硅材料整流 二极管； （ 4） N 型硅材料稳压二极管； 2、 答：不能，因为 1.5 伏的的干电池会使流过二极管的电流很大，可能烧坏二极管。 3、 答:使用万用表的RX 100 0或 RX 1K 0档测二极管的正反向电阻值，比较两次测量结果, 其中电阻值小的那次测试中黑表笔所接被测二极管的引线为正极， 红表笔所接被测二极管的 引线为负极。若测量正向电阻时，表针指示在中间或中间偏右处，即为硅二极管；表针指示 偏到接近 00处，即为锗二极管。若测量正反向电阻时，正向电阻和反向电阻均较小的二极 管，其已短路损坏；正向电阻和反向电阻均很大的二极管，其已开路损坏。 五、分析与计算 1 、 解： a)V1 导通 UAB=-6V ； b) V 2 截止 UAB=-12V ； c) V3 导通 UAB=8V ； d) V4 截止 UAB=3V 。 2、 解： ⑴、因为Ua = Ub = 0V，而Ucc = 6V ,所以两个二极管VDi和VD2承受同样大正向电压, 都处于导通状态，均可视为短路，输出端 F的电位Uf为：Uf = U a = U b = 0V 电阻 R 中的电流为： 两个二极管VDi和VD2中的电流为： ⑵、因为Ua =3V , U b = OV ,而Ucc = 6V，所以两个二极管VD2承受正向电压最高，处于 导通状态，均视为短路，输出端 F的电位Uf为：Uf = U b = 0V 电阻R中的电流为： VD2导通后，VDi上加的是反向电压，因而截止，所以两个二极管 VDi和VD2中的电流为: ⑶、因为Ua =U b = 3V，而Ucc = 6V，所以两个二极管 VDi和VD2承受同样大正向电压， 都处于导通状态，均可视为短路，输出端 F的电位Uf为：Uf = U a = U b = 3V 电阻R中的电流为： 两个二极管VDi和VD2中的电流为： 稳压管 一、填空题 1、 （稳压管、特殊工艺制造的面接触型硅半导体二极管、普通二极管的单向导电特性、工 作于反向击穿状态 ） 2、 （截止、增大、击穿、基本不变） 3、 （减小或消失、增大、彻底击穿） 4、 （电路的稳压环 直流电源电路、 2cW 、 2DW） 5、 （反向击穿、击穿电压 UZ 、稳压作用） 6、 （稳定电压Uz、稳定电流IZ、最大稳定电流Izmax ；） 7、（面、硅晶体、反向击穿） 二、判断题 1 v 2、X 3、X 4、“ 5、X 三、选择题 1 、 A； 2、 C1 、 C2；