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典型的工业静电放电特性 放电时间 ? 数纳秒 ~ 数微秒 ( ? RC ) 放电电流量 ? 数安培 ( I = Q / t ) 峰值功率 ? 数 KW ( ? I or V ) 产生的高频电场 ? 1 MHz ~ 1 GHz 产生的电感电压 = L di dt ( 能够在短至 0.5 nsec 内放电 ) 本教材由华诺丰源提供 ESD 电子器件的破坏 即使是相当小的静电放电也可能损坏电子器件! ESD damage Field failure HBM simulation failure Bipolar IC 静电敏感器件的英文缩写--ESDS ESDS 有多敏感 ? 人体 30 v的静电就会损坏一些敏感器件 一些器件自身10 v静电放电就可能损坏 ESD 造成的破坏 半导体是最容易受到静电破坏的器件 ... 氧化层击穿 界面过热烧损 金属熔化 常见的破坏有 : 以上的混合模式 Metallization burnout ESD 造成的破坏 静电破坏前 静电破坏后 60 ~ 75% EOS / ESD 其他 30 ~ 50% EOS / ESD ESD 对电子业造成的损失 8 ~ 33% ESD alone 损失是巨大的! 欧洲调查数据 其他 其他 美国ESD协会调查数据 日本调查数据 IC 制造商 ( 高速 bipolar LSI ) 质量改进由 22% 达到 100% IC 制造商 ( NMOS-LSI) 制作质量损失下降了 50%, 并获得 800% 的 R.O.I. PCBA 组装加工厂 13% 的生产质量改善,以及市场返修率下降了 1.5% 半导体制造商 (低功率 Schottky-TTL ICs) 废品率从 2.6% 降至 0.21% ESD 控制获得的收益 ESD 破坏的风险 微型化和更高度集成不利于静电防护 1206 0805 0603 0402 0201 USA 3216 2012 1608 1005 0502 Japan 对静电的破坏更加敏感 ! ESD 破坏的风险会逐级放大 缺乏管制意识的主要原因 1. 人体能感觉出静电存在的水平为 2,000 ~ 4,000 volts,但 敏感器件只须 100 volts便能被损坏 ( 大部分 1,000 volts ) 2. 大部分的静电破坏是潜在的,并不能够被马上识别出。 3. 静电破坏现象有较差的重复性, 并且不容易模拟。 4. 找出静电破坏的证据和根源一般相当不容易,而且成本可 5. 缺乏培训和对问题的重视 ( ESD 破坏常被误判为 EOS 损坏 ) 能很高 ESD防护的基本技术手段 等电位 接地 中和 阻值控制 静电场屏蔽 湿度控制 材料选择和工艺控制避免产生静电 敏感器件的标注 保护电路和结构设计提高抗静电能力 等电位 基本原理: 让可能接触敏感器件的所有表面处于等电位状态,避免静电放电发生。 做法:所有可能接触器件的物体使用并联连接(共同连接点) 接地 基本原理:将静电通过接地线或接地装置传导泄放到大地。 做法: 建立静电接地系统 使用静电导电或静电耗散材料并接入ESD接地系统 人体佩戴手腕带,并接入ESD接地系统 人体穿防静电鞋 中和(离子化) 基本原理: 电离空气产生正负离子,中和静电电荷。 使用对象:绝缘体或静电太大接地泄放太慢的情况 做法: 离子风机、离子风枪、离子棒 电阻控制 基本原理:通过电阻控制,控制过强的静电泄放或放电,同时保证人体安全 做法: 静电耗散材料的使用 连接安全限流电阻 静电场屏蔽 基本原理: 屏蔽静电场 阻隔静电放电电流通过敏感器件 做法: 静电屏蔽材料和屏蔽容器的使用 绝缘材料和阻隔结构 湿度控制 基本原理: 增加湿度减少静电的产生,降低摩擦电压 做法: 控制湿度在30~70% 材料选择和工艺控制避免产生静电 基本原理: 通过使用不产生或产生静电小的材料,减少静电 材料表面光洁,减少静电 静电序列的应用 做法: 使用抗静电材料 使用抗静电剂 ESD防护的安全性考虑 防止意外漏电等情况: 安全电流:0.5mA 限流电阻:1MΩ 安全电阻的上限:109Ω(静电泄放的需要) 漏电断电保护器 其他安全考虑: 出现危险时容易脱开 无腐蚀,无刺激等 ESDS器件警示标志 ESDS保护标志 共同接地点标志 ESD标志和标注 接地点标志(一般用于设备) 可能含高电压的EPA标志 防静电区(EPA)标志 可回收使用标志,常用于包装上 早期的静电敏感器件标志,现在还有少数产品在用 警示标带,可用于多种区域 ESD防护材料界定 Conductive Materials导电材料: 表面电阻率小于1x 105
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