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典型的工业静电放电特性 放电时间 ? 数纳秒 ~ 数微秒 ( ? RC ) 放电电流量 ? 数安培 ( I = Q / t ) 峰值功率 ? 数 KW ( ? I or V ) 产生的高频电场 ? 1 MHz ~ 1 GHz 产生的电感电压 = L di dt ( 能够在短至 0.5 nsec 内放电 ) 本教材由华诺丰源提供 ESD 电子器件的破坏 即使是相当小的静电放电也可能损坏电子器件！ ESD damage Field failure HBM simulation failure Bipolar IC 静电敏感器件的英文缩写－－ESDS ESDS 有多敏感 ? 人体 30 v的静电就会损坏一些敏感器件 一些器件自身10 v静电放电就可能损坏 ESD 造成的破坏 半导体是最容易受到静电破坏的器件 ... 氧化层击穿 界面过热烧损 金属熔化 常见的破坏有 : 以上的混合模式 Metallization burnout ESD 造成的破坏 静电破坏前 静电破坏后 60 ~ 75% EOS / ESD 其他 30 ~ 50% EOS / ESD ESD 对电子业造成的损失 8 ~ 33% ESD alone 损失是巨大的！ 欧洲调查数据 其他 其他 美国ESD协会调查数据 日本调查数据 IC 制造商 ( 高速 bipolar LSI ) 质量改进由 22% 达到 100% IC 制造商 ( NMOS-LSI) 制作质量损失下降了 50%, 并获得 800% 的 R.O.I. PCBA 组装加工厂 13% 的生产质量改善，以及市场返修率下降了 1.5% 半导体制造商 (低功率 Schottky-TTL ICs) 废品率从 2.6% 降至 0.21% ESD 控制获得的收益 ESD 破坏的风险 微型化和更高度集成不利于静电防护 1206 0805 0603 0402 0201 USA 3216 2012 1608 1005 0502 Japan 对静电的破坏更加敏感 ! ESD 破坏的风险会逐级放大 缺乏管制意识的主要原因 1. 人体能感觉出静电存在的水平为 2,000 ~ 4,000 volts，但 敏感器件只须 100 volts便能被损坏 ( 大部分 1,000 volts ) 2. 大部分的静电破坏是潜在的，并不能够被马上识别出。 3. 静电破坏现象有较差的重复性, 并且不容易模拟。 4. 找出静电破坏的证据和根源一般相当不容易，而且成本可 5. 缺乏培训和对问题的重视 ( ESD 破坏常被误判为 EOS 损坏 ) 能很高 ESD防护的基本技术手段 等电位 接地 中和 阻值控制 静电场屏蔽 湿度控制 材料选择和工艺控制避免产生静电 敏感器件的标注 保护电路和结构设计提高抗静电能力 等电位 基本原理： 让可能接触敏感器件的所有表面处于等电位状态，避免静电放电发生。 做法：所有可能接触器件的物体使用并联连接（共同连接点） 接地 基本原理：将静电通过接地线或接地装置传导泄放到大地。 做法： 建立静电接地系统 使用静电导电或静电耗散材料并接入ESD接地系统 人体佩戴手腕带，并接入ESD接地系统 人体穿防静电鞋 中和（离子化） 基本原理： 电离空气产生正负离子，中和静电电荷。 使用对象：绝缘体或静电太大接地泄放太慢的情况 做法： 离子风机、离子风枪、离子棒 电阻控制 基本原理：通过电阻控制，控制过强的静电泄放或放电，同时保证人体安全 做法： 静电耗散材料的使用 连接安全限流电阻 静电场屏蔽 基本原理： 屏蔽静电场 阻隔静电放电电流通过敏感器件 做法： 静电屏蔽材料和屏蔽容器的使用 绝缘材料和阻隔结构 湿度控制 基本原理： 增加湿度减少静电的产生，降低摩擦电压 做法： 控制湿度在30～70% 材料选择和工艺控制避免产生静电 基本原理： 通过使用不产生或产生静电小的材料，减少静电 材料表面光洁，减少静电 静电序列的应用 做法： 使用抗静电材料 使用抗静电剂 ESD防护的安全性考虑 防止意外漏电等情况： 安全电流：0.5mA 限流电阻：1MΩ 安全电阻的上限：109Ω（静电泄放的需要） 漏电断电保护器 其他安全考虑： 出现危险时容易脱开 无腐蚀，无刺激等 ESDS器件警示标志 ESDS保护标志 共同接地点标志 ESD标志和标注 接地点标志（一般用于设备） 可能含高电压的EPA标志 防静电区（EPA）标志 可回收使用标志，常用于包装上 早期的静电敏感器件标志，现在还有少数产品在用 警示标带，可用于多种区域 ESD防护材料界定 Conductive Materials导电材料： 表面电阻率小于1x 105