磁畴理论选编.pptVIP

氧体均形成片形畴。 一般单轴各向异性的铁 畴 钡铁氧体中应出现片形 （六角晶体） ⑵ 封 片 7 . 9 8 . 3 / 10 8 . 3 / 10 2 . 3 O BaFe 5 3 5 1 19 12 ? ? ? ? ? ? ? E E m A M m J K s u 二、立方晶体的理论畴畴结构 1 、片形畴：与单轴晶体的 片形畴一样 L M E L M D s s ? ? ? ? 17 10 2 17 10 4 min 4 ? ? ? ? 2 、立方晶体 [100](001) 面上的磁畴结构 对于 K 1 0 的立方晶体的（ 001 ）面上，有两个易磁化轴， 故主畴与封闭畴的 M s 均在易磁化轴上，而且由于晶体的长 度方向就是 [100], 所以磁畴结构是典型的封闭畴（如图）。 D D D/2 D/2 L [010] [100] [001] 在这种情况下， F d 与 F k 均不需要考虑，只需考虑畴壁 能与磁弹性能。 磁致伸缩能的产生： 材料自居里点冷下来时，发生自发形变，若 λ 0, 则沿自 发磁化强度的方向上将发生伸长，这样主畴与封闭畴均要在 其自发磁化强度的方向上伸长，由于主畴与封闭畴的 M s 彼此 成 90 0 ，所以形变方向互相牵制。换言之，由于主畴的阻挡， 封闭畴不能自由变形。 —— 因此封闭畴就好像受到压缩而增 加了能量。这项能量由磁致伸缩引起，故称磁致伸缩能 E σ ( 磁弹性能 ) 。 ) 100 100 ( 2 2 ) ( ] 100 [ 2 ] 100 [ 11 2 11 0 11 0 11 11 ? ? ? ? ? 磁致伸缩系数 方向上的 方向，故就是 沿 其中自发形变 （或磁弹性能）： 单位体积的磁致伸缩能 而导致的应力 自发形变 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? e C e C ede C de F e C l l C l l e e e ? 每单位面积的材料中，上下表面共有 个封闭畴，其 中每一个封闭畴体积为 D 2 /4, 所以单位面积的材料中，封闭 畴总体积为： D 2 /4 × 2/D=D/2 。 所以单位面积的材料中的磁弹性能为： D 2 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?? ? ? ? L C E C L D D E D L D C E E E D L E L D D C D C E ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 11 ] 100 [ min 11 ] 100 [ 2 ] 100 [ 11 2 ] 100 [ 11 2 ] 100 [ 11 2 0 4 4 1 2 2 1 由 单位面积中总能量 ： 单位面积材料中畴壁能 小很多。 封闭畴畴壁面积较主畴 ? 现封闭畴结构。 的铁磁体中，通常是出 在 ，故以封闭畴稳定。 但 封闭畴： 片形畴： 片 封 片 封 封 封 片 片 0 , 127 . 0 , 10 50 . 2 94 . 19 , 10 59 . 1 ) 0 ( : . 1 4 6 1 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? K E E D D J E m D J E m D K Fe g e 三、表面畴 为降低晶体表面总的退磁场能，将会在晶体表面出现各 种各样的表面精细畴结构或附加次级畴。 表面畴的形成与分布和晶体表面取向有关，故其形式较 为复杂。 1 、树枝状畴 在 K 1 0 的立方单晶材料 的表面，有时会出现从畴壁界 线出发，向两边主畴作斜线伸展的一种附加畴 —— 树枝状畴。 产生原因： 两个主畴的 M s 与样品表面不平行，有一 微小的倾角，这样在表面就会出现磁极，使 接近表面区产生退磁场，引起此区域的横向 磁化。为了降低表面退磁场能，则须在晶体 表面形成树状的表面精细畴。（原因与封闭 畴相似） 区域附加畴与主畴间的 M s 互相垂直， 故其中间为 90 0 壁。 2 、圆锥形畴 ( 如图 ) 单易磁化轴的晶体形成封闭畴时，其封 闭畴里的磁晶各向异性能增加，此时圆锥畴 的出现既可使表面退磁场能降