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第五章扩散制作结在年提出采用扩散技术改变硅或锗的导电类型的设想此后人们对如何用扩散方法将掺杂剂引进硅中又提出种种设想其研究目标是如何控制硅中掺杂剂的浓度均匀性重复性以及大批量生产过程中如何降低成本现在扩散作为一项基础核心技术在半导体元器件制造工艺中得到广泛的应用我们可以使用下列方法将掺杂剂原子引入硅中高温下汽相形成的化学源扩散掺杂氧化物源的扩散离子注入层的退火与扩散离子注入层的退火是为了激活注入原子和减少离子注入造成的晶体损伤当退火在高温下进行时扩散便同时发生在集成电路工艺中离子注入有着广泛的应
第五章 扩散制作 PN 结
Pfann 在 1952 年提出采用扩散技术改变硅或锗的导电类型的设 想［1］。此后，人们 对如何用扩散方法将掺杂剂引进硅中又提出种种设想，其研究目标是如何控制硅 中掺杂剂的浓度、均匀性、重复性以及大批量生产过程中如何降低成本。现在， 扩散作为一项基础核心技术在半导体元器件制造工艺中得到广泛的应用。我们可 以使用下列方法将掺杂剂原子引入硅中：⑴高温下汽相形成的化学源扩散；⑵掺 杂氧化物源的扩散；⑶离子注入层的退火与扩散。离子注入层的退火是为了激活 注入原子和减少离子注入造成的晶体损伤。当退火在高温下进行时，扩散便同时 发生。在集成电路工艺中离子注入有着广泛的应用。
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