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Hi3531/Hi3532 硬件设计 用户指南 文档版本 02 发布日期 2012-11-30 版权所有 ? 深圳市海思半导体有限公司 2011-2012。保留一切权利。 非经本公司书面许可，任何单位和个人不得擅自摘抄、复制本文档内容的部分或全部，并不得以任何形式传播。 商标声明 、、海思和其他海思商标均为深圳市海思半导体有限公司的商标。 本文档提及的其他所有商标或注册商标，由各自的所有人拥有。 注意 您购买的产品、服务或特性等应受海思公司商业合同和条款的约束，本文档中描述的全部或部分产品、服务或特性可能不在您的购买或使用范围之内。除非合同另有约定，海思公司对本文档内容不做任何明示或默示的声明或保证。 由于产品版本升级或其他原因，本文档内容会不定期进行更新。除非另有约定，本文档仅作为使用指导，本文档中的所有陈述、信息和建议不构成任何明示或暗示的担保。 深圳市海思半导体有限公司 地址： 深圳市龙岗区坂田华为基地华为电气生产中心 邮编：518129 网址： 客户服务电话： +86-755客户服务传真： +86-755客户服务邮箱： support@ Hi3531/Hi3532 硬件设计 用户指南 前 言 前 言 概述 本文档主要介绍 Hi3531/Hi3532 芯片方案的硬件原理图设计、PCB 设计、单板热设计建议等。 本文档提供 Hi3531/Hi3532 芯片的硬件设计方法。 产品版本 与本文档相对应的产品版本如下。 产品名称 产品版本 Hi3531 芯片 V100 Hi3532 芯片 V100 读者对象 本文档（本指南）主要适用于以下工程师： 技术支持工程师 单板硬件开发工程师 修订记录 修订记录累积了每次文档更新的说明。最新版本的文档包含以前所有文档版本的更新内容。 修订日期 版本 修订说明 2012-11-30 02 第 3 章 单板热设计建议 更新 3.1 节 文档版本 02 (2012-11-30) 海思专有和保密信息 iii 版权所有 ? 深圳市海思半导体有限公司 Hi3531/Hi3532 硬件设计 用户指南 前 言 修订日期 版本 修订说明 2012-09-21 01 1.1.5 Power Supply 电路中增加电源的上下电时序图；增 加 PLL 电源和芯片的 DVDD10 和 DVDD33 电源的隔离磁 珠的要求。 增加图 1-9。 修正了 DDR 关于全驱和半驱的说法。 1.2.10 模拟 DAC 接口设计 VDAC1_IREF 外接并联到地的 1%精密电阻中的 680? 改 为 1.1K?.。 刷新 1.2.4 FLASH 接口设计的部分描述。 刷新 1.2.7 SPI 控制接口设计的部分描述。 2.2.1 电源设计中，删除“电源管脚摆放的去耦电容，并 且在 PCB 上对 VREF 加包地屏蔽处理”的描述。 刷新 2.3 GMAC 布线设计建议的部分描述。 刷新 2.4 USB 接口电路设计建议的部分描述。 刷新 2.5 PCIE 总线 PCB 设计建议的部分描述。 修改 Hi3532 的散热片尺寸。 2012-06-30 00B20 Hi3531 的内核电压及相关描述由 1.0V 改为 1.03V； Hi3532 的内核电压及相关描述由 1.0V 改为 1.15V 第 1 章 原理图设计建议 删除“支持 DDR3L，即在 DDR3 时，支持 1.35V”的描述。 外接 DDR3 时，删除采用 Fly-by 拓扑结构的相关 描述及示意图 1.2.7 增加“Hi3531 SPI 控制接口的片选信号 SPI_CSN6(管脚 AA33)”的注意事项。 第 3 章 单板热设计建议 增加 Hi3532 的散热片选择的相关描述。 文档版本 02 (2012-11-30) 海思专有和保密信息 iv 版权所有 ? 深圳市海思半导体有限公司 Hi3531/Hi3532 硬件设计 用户指南 前 言 修订日期 版本 修订说明 2012-05-15 00B10 第 1 章 原理图设计建议 1.1.5 Power Supply 电路 Hi3532 推荐供电能力为 5A 以上的电源芯片。 第 2 章 PCB 设计建议 2.2 DDR2/3 SDRAM 接口中的 PCB 布线建议处修改相邻 信号走线间距要求 2.7 HDMI 接口走线设计建议 增加对 Hi3531 信号走线长度的要求。 2.10 系统电源、地设计建议 Hi3532 的主芯片 core 电源通道的铜皮过流能力和宽度要 求分别改为 5A 和 200mil。 增加针对 Hi3531、Hi3532 的滤波电容的相关描述。 2012-03-25 00B03 第 1 章 原理图设计建议 1.1.5 Power Supp