上海交通大学multisim作业题.docx

一、 电流负反馈偏置的共发射极放大电路如图 1所示，设晶体管3 =100, rbb，=100Q。 计算电路的电压增益 Aus=Vo/Vs,输入电阻Ri及输出电阻Ro； 研究耦合电容、旁路电容对低频截止频率 忙的影响： 令C2, Ce足够大，计算由Cl引起的低频截止频率fL1； 令C1, Ce足够大，计算由C2引起的低频截止频率fL2； 令C1, C2足够大，计算由Ce引起的低频截止频率fL3； 同时考虑C1, C2, Ce时的低频截止频率fL； +Vcc Rc3.3k Rc 3.3k Q RB1 100k Q 3.3 口 F Rs3.3 口 F200 Q t-RB2 Rs 3.3 口 F 200 Q t- RB2 20k Q Re 1k Q 5.1k Q 图1电流负反馈偏置共发射极放大电路 采用图1所示的电路结构，使用上述给定的晶体管参数，设 RL=3k Q , Rs=100 Q ,设计其它电路元件参数，满 足下列要求：Aus 40, fL 80Hz。 二、如图2所示电路是一个低频功率放大电路， Q6, Q7为大功率管。设Q6, Q7的3 =50 , Is=1 X 10-14A ； Q1~Q5的3 =100 , Is=1 X 10-15A。 调节电阻R1及R5使静态时Va衣Vcc/2,lc6~ Ic7~ 10mA。 输入信号为f=1kHz的正弦波，求电路最大输出电压的幅度及最