2.4.3晶体缺陷和晶体材料.pdf

1、晶体缺陷的种类： 按几何形式分类： 点缺陷（如杂原子置换、空位、填隙原子） 线缺陷（如位错） 面缺陷（如堆垛层错、晶粒边界等） 体缺陷（如包裹杂质、空洞等）等。 若按缺陷的形成和结构分类： 本征缺陷——指不是由外来杂质原子形成 而是晶体结构本身偏离点阵结构造成。 杂质缺陷——指杂原子进入基质晶体中所 形成的缺陷。 2、晶体缺陷造成晶体性质的变化： 晶体缺陷使得晶体在 光、电、磁、声、热学上出现新的特性， 给新材料的开发提供了可能。 例如：单晶硅、锗都是优良半导体材料； 在硅、锗中掺入微量砷、镓 形成的有控制的晶体缺陷， 这种材料是集成电路的基础； 离子晶体的缺陷有时可使绝缘性发生变化； 如在AgI中掺杂+1价阳离子后，室温下就有 较强的导电性，这类固体电解质能在高温下 工作，可用于制造燃料电池、离子选择电极等。 杂质缺陷还可使离子型晶体具有绚丽的色彩。 如α-Al O 中掺入CrO 呈现鲜艳的红色 2 3 3 ——“红宝石”， 而且可用于激光器中作晶体材料。 谢谢大家！