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技术员知识培训;;石英晶体常规技术指标;静态电容（C0） 等效电路静态臂里的电容。它的大小主要取决于电极面积、晶片厚度和晶片加工工艺。它的常用计算公式为： C0=KC0×Ae×F0＋C常数 KC0——电容常数，其取值与装架形 式、晶片形状有关; Ae——电极面积，单位mm2； F0——标称频率，单位KHz； C常数——常数，单位PF; 动态电容（C1） 等效电路中动态臂里的电容。它的大小主要取决于电极面积，??外还和晶片平行度、微调量的大小有关。它的常用公式为： C1=KC1×Ae×F0＋C常数 KC1——电容常数； ; Ae——电极面积，单位mm2; F0——标称频率，单位KHz; C常数——常数，单位PF; 动态电感（L1） 等效电路中动态臂里的电感。动态电感与动态电容是一对相关量，它的常用公式为： L1=1/(2πF0）2C1 (mh) 串联谐振频率（Fr） 晶体元件电气阻抗为电阻性的两个频率中较低的一个。 ; 负载谐振频率（FL） 晶体元件与一负载电容串联或并联，其组合阻抗为电阻性的两个频率中的一个频率。 品质因数（Q） 品质因数又称机械Q值，它是反映谐振器性能好坏的重要参数，它与L1和C1有如下关系 Q=wL1/Rr=1/wRrC1 如上式，R1越大，Q值越低，功率耗散越大，而且还会导致频率不稳定。反之Q值越高，频率越稳定。 相对负载频率偏置（DL） ; 晶体负载谐振频率相对于串联谐振频率的变化量DL=(FL-Fr)/Fr，可由下式近似计算： DL≈C1/2（C0＋CL） 相对频率牵引范围 （ DL1,L2） 晶体在两个固定负载间的频率变化量。 D(L1,L2)=│(FL1-FL2)/Fr│=│C1(CL2-CL1)/2(C0+CL1)(C0+CL2)│ 牵引灵敏度（TS） 晶体频率在一固定负载下的变化率 。 TS≈-C1 *1000/ 2*（C0+CL）2 激励电平相关性（DLD） 由于压电效应，激励电平强迫谐振子产生机械振荡，在这个过程中，加速度功转化为动能和弹性能，功耗转化为热。后者的转换是由于石英谐振子的内部和外部的摩擦所造成的。 摩擦损耗与振动质点的速度有关，当震荡不再是线性的，或当石英振子内部或其表面及安装点的拉伸或应变、位移或加速度; 达到临界时，摩擦损耗将增加。因而引起频率和电阻的变化。 加工过程中造成DLD不良的主要原因 ——谐振子表面存在微粒污染。主要产生原因为生产环境不洁净或非法接触晶片表面； ——谐振子的机械损伤。主要产生原因为研磨过程中产生的划痕。 ——电极中存在微粒或银球。主要产生原因为真空室不洁净和镀膜速率不合适。 ——装架是电极接触不良； ——支架、电极和石英片之间存在机械应力。 寄生响应 所有晶体元件除了主响应（需要的频率）之外，还有其它的 频率响应。减弱寄生响应的办法是改变晶片的几何尺寸、电极，以及晶片加工工艺，但是同时会改变晶体的动、静态参数。 寄生响应的测量 ⑴SPDB 用DB表示Fr的幅度与最大寄生幅度的差值；; ⑵SPUR 在最大寄生处的电阻； ⑶SPFR 最小电阻寄生与谐振频率的距离，用Hz或ppm表示。 ;;加工难度大的指标;晶体测量设备;美国SA公司测试设备;香港科研公司测试设备;石英晶体应用过程中应注意的问题; ⑴规定整个温度范围内的总频差，如：-20-70℃范围总频差为±50ppm，这种方法一般用于具有较宽频碴而不采用频率微调的场合。 ⑵规定下列部分的频差： a.基准温度下的频差为