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超纯水设备制备芯片清洗用水 一、芯片清洗用超纯水设备 -15T/H 概述 芯片清洗用超纯水设备 -15T/H 的最大出水量是每小时 15 吨 芯片清洗用超纯水设备采用先进的电渗析与离子交换相结合的 技术，克服了单一技术的缺点，完美的结合了两种技术的优点， 满足实际的生产需要。 芯片清洗用超纯水设备是根据电子行业特殊要求而设计并 制造的水处理设备， 用户可以根据自己的实际需要， 调整设备的 出水量， 满足用户的实际需求。 芯片清洗行业用超纯水设备现已 得到广泛的应用。 二、芯片清洗用超纯水设备 -15T/H 的原理 电去离子 （EDI） 系统主要是在直流电场的作用下，通过隔板 的水中电介质离子发生定向移动， 利用交换膜对离子的选择透过 作用来对水质进行提纯的一种科学的水处理技术。 电渗析器的一对电极之间，通常由阴膜，阳膜和隔板 （ 甲、 乙）多组交替排列，构成浓室和淡室 （即阳离子可透过阳膜 , 阴离 子可透过阴膜 ） 。 淡室水中阳离子向负极迁移透过阳膜， 被浓室中的阴膜截留， 水中阴离子向正极方向迁移阴膜， 被浓室中的阳膜截留，这样通 过淡室的水中离子数逐渐减少，成为淡水。 浓室的水中，由于浓室的阴阳离子不断涌进， 电介质离子浓 度不断升高，而成为浓水，从而达到淡化、提纯、浓缩或精制的 目的。 三、芯片清洗用超纯水设备-15T/H优点 1、 无需酸碱再生：在混床中树脂需要用化学药品酸碱再生， 而EDI则消除了这些有害物质的处理和繁重的工作。 保护了环境。 2、 连续、简单的操作： 在混床中由于每次再生和水质量的 变化，使操作过程变得复杂，而EDI的产水过程是稳定的连续的， 产水水质是恒定的，没有复杂的操作程序，操作大大简便化。 3、 降低了安装的要求：EDI系统与相当处理水量的混床相 比，有较不的体积，它采用积木式结构，可依据场地的高度和灵 活的构造。 模块化的设计，使EDI在生产工作时能方便维护。 资源共享来源于莱特莱德哈尔滨超纯水设备工程公司 四、芯片清洗用超纯水设备的工艺流程 1、采用离子交换方式，其流程如下： 原水f原水加压泵f多介质过滤器f活性炭过滤器f软水 器f精密过滤器f阳树脂过滤床f阴树脂过滤床f阴阳树脂混 床f微孔过滤器f用水点。 2、采用两级反渗透方式，其流程如下： 原水f原水加压泵f多介质过滤器f活性炭过滤器f软水 器f精密过滤器f第一级反渗透 f PH调节f中间水箱f第二级 反渗透(反渗透膜表面带正电荷)f纯化水箱f纯水泵f微孔过 滤器f用水点。 3、采用 EDI 方式，其流程如下 ： 原水f原水加压泵f多介质过滤器f活性炭过滤器f软水 器f精密过滤器f —级反渗透机f中间水箱f中间水泵f EDI系 统f微孔过滤器f用水点。 五、影响芯片清洗用超纯水设备运行的因素 (1)EDI 进水电导率的影响。在相同的操作电流下，随着原 水电导率的增加 EDI 对弱电解质的去除率减小， 出水的电导率也 增加。如果原水电导率低则离子的含量也低， 而低浓度离子使得 在淡室中树脂和膜的表面上形成的电动势梯度也大， 导致水的解 离程度增强，极限电流增大，产生的 H+和0H-的数量较多，使填 充在淡室中的阴、阳离子交换树脂的再生效果良好。 工作电压 -电流的影响。 工作电流增大， 产水水质不断变 好。但如果在增至最高点后再增加电流，由于水电离产生的 H+ 和0H-离子量过多，除用于再生树脂外，大量富余离子充当载流 离子导电，同时由于大量载流离子移动过程中发生积累和堵塞， 甚至发生反扩散，结果使产水水质下降。 浊度、污染指数(SDI)的影响。EDI组件产水通道内填充 有离子交换树脂，过高的浊度、污染指数会使通道堵塞，造成系 统压差上升，产水量下降。 硬度的影响。如果 EDI 中进水的残存硬度太高，会导致 浓缩水通道的膜表面结垢，浓水流量下降，产水电阻率下降。影 响产水水质， 严重时会堵塞组件浓水和极水流道， 导致组件因内 部发热而毁坏。 T0C(总有机碳)的影响。进水中如果有机物含量过高， 会 造成树脂和选择透过性膜的有机污染，导致系统运行电压上升， 产水水质下降。 同时也容易在浓缩水通道形成有机胶体， 堵塞通 道。 铁、锰等金属离子的影响。铁、锰等金属离子会造成树 脂的“中毒”。树脂的金属“中毒”会造成 EDI出水水质的迅速 恶化，尤其是硅的去除率迅速下降。 另外变价属对离子交换树脂 的氧化催化作用，会造成树脂的永久性损伤。 进水中C02的影响。进水中 C02生成的HC03是弱电解 质，容易穿透离子交换树脂层而造成产水水质下降。 总阴离子含量(TEA)的影响。高的TEA将会降低EDI产水 电阻率，或需要提高EDI运行电流，而过高的运行电流会导致系 统电流增大，水中的浓度增大，对膜的命不利。 另外，进水温度、pH值、SiO2以