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四探针法测量半导体电阻率及薄层电阻 【实验目的】 1、掌握四探针测量半导体材料电阻率和薄层电阻的测量原理及方 法； 2、针对不同几何形状的样品，掌握其修正方法； 3、测试给定的三块不同规格样品数据，使用 EXCEL软件对样品的 数据进行计算和处理，如电阻率、方块电阻、标准差、不均匀度， 画出电阻率波动图 【实验原理】 半导体材料的电阻率 在半无穷大样品上的点电流源，若样品的电阻率 ρ 均匀， 引入点电 流源的探针其电流强度为 I ，则所产生的电力线具有球面的对称性， 即等 位面为一系列以点电流为中心的半球面，如图 1所示。在以ｒ为半径的半 球面上，电流密度ｊ的分布是均匀的： (1) 图1 半无穷大样品点电流源的半球等位面若 E为ｒ处的电场强度， 则 （ 2） 由电场强度和电位梯度以及球面对称关系， 则 3） (4) 取ｒ为无穷远处的电位为零， 则 (5) (6) 上式就是半无穷大均匀样品上离开点电流源距离为ｒ的点的电位与探 针流过的电流和样品电阻率的关系式，它代表了一个点电流源对距离ｒ处点的电势的贡献。 对于图 2 所示的情形，四根探针位于样品中央，电流从探针 1 流入， 从探针 4 流出，则可将 1 和 4 探针认为是点电流源，由 (6) 式可知， 2 和 3 探针的电位为 1、 3 探针的电位差为： (7) 由此可得出样品的电阻率为： (8) (8) 式就是利用直流四探针法测量电阻率的普遍公式。 我们只需测出 流过 1 4 探针的电流 I 以及 2 3 探针间的电位差 V2 3 ，代入四根探针的间距， 就可以求出该样品的电阻率 ρ 。 实际测量中，最常用的是直线型四探针， 即四根探针的针尖位于同一直 线上，并且间距相等，如图  3 所示。 设 r12 = r 23 = r34 = S，则有： (9) 图 2 任意位置的四探针 图3 直线型四探针 （ 9）式就是常见的直流四探针 ( 等间距 ) 测量电阻率的公式， 也是 本实验要用的测量公式之一。需要指出的是： 这一公式是在半无限大样品 的基础上导出的，实用中必需满足样品厚度及边缘与探针之间的最近距离 大于四倍探针间距， 这样才能使该式具有足够的精确度。 如果被测样品不是半无穷大，而是厚度，横向尺寸一定，这时利用四 探针法测量电阻率时，就不能直接采用公式 (9) ，进一步的分析表明，在四 探针法中只要对 (9) 式引入适当的修正系数 BO 即可，此时： ( 10) BO 的数值，与样品的尺寸及所处的条件有关， 为便于查找，已列表格， 见表 1、 2： 表 1 说明： 样品为片状单晶，四探针针尖所连成的直线与样品一个边界平行，距离为 L， 除样品厚度及该边界外，其余周界均为无穷远，样品周围为绝缘介质包围。 另一种情况是极薄样品， 它是指样品厚度 d 比探针间距小很多， 而横向尺寸为无穷大的样品，如图 4 所示， 这时从探针 1流入和从探针 4流出的电流， 其等位面近似为圆柱面 ( 高为 d。任一等位面 的半径设为ｒ ) ，类似于上面对半无穷大样品 的推导，很容易得出当 r 12=r 23=r 34=S时， 极薄样品的电阻率为： （ 11） 图4 极薄样品电阻率的测量 11）式说明：对于极薄样品，在等间距探针情况下、探针间距和 测量结果无关，电阻率和被测样品的厚度d成正比表 2： 说明：样品为片状单晶，四探针针尖所连成的直线与样品一个边界 垂直，探针与该边界的最近距离为 L，除样品厚度及该边界外，其余周界为无穷远，样品周围为绝缘介质包围。同样需要注意的是当片状样品 不满足极薄样品的条件时，仍需按式 (10) 计算电阻率 P。其修正系数 Bo 列在表 3中。 扩散层的薄层电阻 半导体工艺中普遍采用四探针法测量扩散层的薄层电阻，由于反向 pn 结的隔离作用，扩散层下的衬底可视为绝缘层，对于扩散层厚度 ( 即结深 Xj) 远小于探针间距 S，而横向尺寸无限大的样品， 则薄层电阻率为： 表 3： 说明：样品为片状单晶，除样品厚度外，样品尺寸相对探针间距为无穷大，四探针垂直于样品表面测试，或垂直于样品侧面测试 （ 12） 实际工作中，直接测量扩散层的薄层电阻，又称方块电阻，其定义 就是表面为正方形的半导体薄层，在电流方向所呈现的电阻，见图 5。 图5 薄层电阻示意图 所以 （13） 因此， 12式变为： （ 14） 实际的扩散片尺寸一般不很大，不满足（ 14）的要求，并且实际的 扩散片又有单面扩散与双面扩散之分， 因此，需要对（ 14）式进行修 正，修正后的公式为： （ 15） 式中 Bo为修正系数，其值见表 4、表 5。 表4 说明： 四探针的中心点在样品的中心 表 5 双面扩散样品薄层电阻的修正系数 说明： 四探针的中心点在样品的中心 测试装置主要由四探针头，