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电力电子技术作业 6. 比较GTO 与晶闸管的开通和关断，说明其不同之处 (2.1) 答：GTO 与晶闸管开通过程的不同之处： GTO 与晶闸管最大区别就是导通后回路增益   数值不同， 1 2 晶闸管的回路增益   常为 1.15 左右，而 GTO 得   略大于 1 1 2 1 2   P N P N P N  （其中 和 分别为 和 的共基极电流放大倍数， 比 1 2 1 1 2 1 2 2 1 2 小） GTO 与晶闸管关断过程的不同之处： GTO 处于临界饱和状态时用抽走阳极电流的方法破坏临界 饱和状态，能使器件关断，又 GTO 得门极和阴极是多元并联结 构，故也能从门极抽走更大的电流使 GTO 关断。而晶闸管导通 之后处于深度饱和状态，用抽走阳极电流的方法不能使其关断， 它是通过使阳极电压减小到零或反向的方法来关断的 7. 电力电子器件为何要设置缓冲电路？说明其作用 有哪些缓冲 电路形式？3.13 答：附加各种缓冲电路，不仅能降低浪涌电压、du / dt 和di / dt ， 还能减少器件的开关损耗、避免器件损坏和抑制电磁干扰，提高 电路可靠性 缓冲电路的作用是在电力电子器件开通和关断的过程中减 缓其电流或电压上升率，以降低电力电子器件的开关损耗和开关 应力 缓冲电路有耗能式缓冲电路和馈能式缓冲电路两种类型 其中前 第 1 页 电力电子技术作业 者有 5 种缓冲电路形式：RC 关断缓冲电路、RCD 关断缓冲电路、 母线吸收式缓冲电路、开通缓冲电路、复合缓冲电路 12.功率 MOSFET 静电保护措施有哪些？3.10 答：功率 MOSFET 可采取 3 个方面的静电保护措施： ①应存放在防静电包装袋、导电材料包装袋或金属容器中， 不能放在塑料袋或纸袋中 取用器件时应拿器件管壳，而不要拿 引线 ②将开关管接入电路时，工作台和烙铁都必须良好接地，焊 接时电烙铁功率应不超过 25W ，最好是用内热式烙铁，先焊漏 极与源极或集电极和发射极，最好使用 12～24V 的低电压烙铁， 且前端作为接地点 ③在测试开关管时，测量仪器和工作台都必须良好接地，并 尽量减少相同仪器的使用次数和使用时间，开关管的 3 个电极未 全部接入测试仪器或电路前，不要施加电压，改换测试范围时， 电压和电流都必须先恢复到零 11．什么是逆变失败？如何防止逆变失败？4.21 答：但当变流器工作于逆变工况时，一旦由于触发脉冲丢失、 突发电源缺相或断相等原因造成换流失败，将使输出电压 U 进 d 入正半周，与 EM 顺向连接，由于回路电阻很小，造成很大的短 路电流，这种情况叫逆变失败或逆变颠覆 为了保证逆变电路的正常工作，必须 1）选用可靠的触发器， 2 ）正确选择晶闸管的参数，3 ）采取必要的措施，减小电路中 第 2 页 电力电子技术作业 du/dt 和 di/dt 的影响，以免发生误导通，4 ）保证交流电源的质量， 5 ）逆变角β 的角度有一最小限制，留出充足的换向余量角 1. 无源逆变电路和有源逆变电路有什么区别？8.2 答：有源逆变电路的交流侧接电网，即交流侧接有电源。而无源 逆变电路的交流侧直接和负载相联接 2. 什