浅谈光伏发电幕墙中的多晶硅电池工艺.pdfVIP

浅谈光伏发电幕墙中的多晶硅电池工艺 众所周知， 利用太阳能有许多优点， 光伏发电将为人类提供主要的能 源，但目前来讲， 要使太阳能发电具有较大的市场，被广大的消费者 接受，提高太阳电池的光电转换效率， 降低生产成本应该是我们追求 的最大目标，从目前国际太阳电池的发展过程可以看出其发展趋势为 单晶硅、多晶硅、带状硅、薄膜材料（包括微晶硅基薄膜、化合物基 薄膜及染料薄膜）。 1、从工业化发展来看，重心已由单晶向多晶方向发展，主要原 因为： [1] 可供应太阳电池的头尾料愈来愈少； [2] 对太阳电池来讲，方形基片更合算，通过浇铸法和直接凝固 法所获得的多晶硅可直接获得方形材料； [3] 多晶硅的生产工艺不断取得进展，全自动浇铸炉每生产周期 （50 小时）可生产 200 公斤以上的硅锭，晶粒的尺寸达到厘米级； [4] 由于近十年单晶硅工艺的研究与发展很快，其中工艺也被应 用于多晶硅电池的生产， 例如选择腐蚀发射结、 背表面场、腐蚀绒面、 表面和体钝化、 细金属栅电极， 采用丝网印刷技术可使栅电极的宽度 降低到 50 微米， 高度达到 15 微米以上， 快速热退火技术用于多晶硅 的生产可大大缩短工艺时间，单片热工序时间可在一分钟之内完成， 采用该工艺在 100平方厘米的多晶硅片上作出的电池转换效率超过 1 4 ％。据报道， 目前在 50～60 微米多晶硅衬底上制作的电池效率超过 16％。利用机械刻槽、 丝网印刷技术在 100 平方厘米多晶上效率超过 17％，无机械刻槽在同样面积上效率达到 16％，采用埋栅结构，机 械刻槽在 130 平方厘米的多晶上电池效率达到 15.8％。 2、下面从两个方面对多晶硅电池的工艺技术进行讨论。 2.1 实验室高效电池工艺 实验室技术通常不考虑电池制作的成本和是否可以大规模化生 产，仅仅研究达到最高效率的方法和途径， 提供特定材料和工艺所能 够达到的极限。 1 关于光的吸收 对于光吸收主要是： （1）降低表面反射； （2）改变光在电池体内的路径； （3）采用背面反射。 对于单晶硅，应用各向异性化学腐蚀的方法可在（ 100）表面制 作金字塔状的绒面结构，降低表面光反射。但多晶硅晶向偏离（ 100） 面，采用上面的方法无法作出均匀的绒面，目前采用下列方法： [1] 激光刻槽 用激光刻槽的方法可在多晶硅表面制作倒金字塔结构，在 500～ 900nm 光谱范围内，反射率为 4～6 ％，与表面制作双层减反射膜相 当。而在（ 100）面单晶硅化学制作绒面的反射率为 11％。用激光制 作绒面比在光滑面镀双层减反射膜层（ ZnS/MgF2 ）电池的短路电流 要提高 4 ％左右，这主要是长波光（波长大于 800nm）斜射进入电池 的原因。激光制作绒面存在的问题是在刻蚀中， 表面造成损伤同时引 入一些杂质， 要通过化学处理去除表面损伤层。 该方法所作的太阳电 池通常短路电流较高， 但开路电压不太高， 主要原因是电池表面积增 加，引起复合电流提高。 [2] 化学刻槽 应用掩膜 （Si3N4 或 SiO2）各向同性腐蚀， 腐蚀液可为酸性腐蚀 液，也可为浓度较高的氢氧化钠或氢氧化钾溶液， 该方法无法形成各 向异性腐蚀所形成的那种尖锥状结构。