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* 一二五习题课 一二五习题课 四、稳压管 稳压管是一种面接触型二极管，与二极管不同之处： 1.采用特殊工艺，击穿状态不致损坏； 2.击穿是可逆的。 符号及特性曲线如下图所示： ΔU ΔI + - I U O 稳压管的伏安特性和符号 ΔU ΔI 值很小 有稳压特性 阴极 阳极 下页 上页 首页 [例1.2.3] 电路如图所示，已知UImax= 15V， UImin= 10V IZmax= 50mA， IZmin= 5mA，RLmax= 1kΩ，RLmin= 600Ω UZ= 6V, 对应ΔUZ= 0.3V。 求rZ ，选择限流电阻R。 下页 上页 首页 Uo RL VDZ R Ui IR Io IZ + + - - + - UZ 解： IZ =IR - Io = UI - UZ R - UZ RL IZmax ＞ UImax - UZ R - UZ RLmax IZmin ＜ UImin - UZ R - UZ RLmin rZ = ΔIZ ΔUZ = 6.7Ω 15 - 6 50 + 6 1 =160 Ω R ＞ R＜ 10 - 6 5 + 6 0.6 =267 Ω ΔIZ = IZmax - IZmin = 45mA 下页 上页 首页 Uo RL VDZ R Ui IR Io IZ + + - - + - UZ 2. 输出特性 iC/mA O uCE/V iB=80μА 60 40 20 0 IC=f(UCE) IB=常数 饱和区 放 大 区 截止区： IB ≤ 0的区域，IC ≈ 0 ， 发射结和集电结都反偏。 2. 放大区： 发射结正偏集电结反偏ΔIC = βΔIB 3. 饱和区： 发射结和集电结都正偏，UCE较小，IC 基本不随IB 而变化。 当UCE = UBE 时，为临界饱和；当UCE UBE 时过饱和。 截止区 下页 上页 首页 动画 种 类 符 号 转移特性 漏极特性 结型 N 沟道 耗尽型 结型 P 沟道 耗尽型 绝缘 栅型 N 沟道 增强型 S G D S G D ID UGS= 0V + UDS + + o S G D B UGS ID O UT 表 1-2　各类场效应管的符号和特性曲线 + UGS = UT UDS ID + + + O ID UGS= 0V - - - UDS O UGS ID UP IDSS O UGS ID /mA UP IDSS O 种 类 符 号 转移特性 漏极特性 绝缘 栅型 N 沟道 耗尽型 绝缘 栅型 P 沟道 增强型 耗尽型 ID S G D B UDS ID _ UGS=0 + _ _ O ID UGS UP IDSS O S G D B ID S G D B ID ID UGS UT O ID UGS UP IDSS O _ ID UGS=UT UDS _ o _ UGS= 0V + _ ID UDS o + 图 2.4.3(a) 【例2.4.2】图示单管共射放大电路及特性曲线中，已知 Rb = 280 k?，Rc = 3 k? ，集电极直流电源 VCC = 12 V，试用图解法确定静态工作点。 解：首先估算 IBQ 做直流负载线，确定 Q 点 根据 UCEQ = VCC – ICQ Rc iC = 0，uCE = 12 V ； uCE = 0，iC = 4 mA . 3. 三极管的简化参数等效电路 　　注意：这里忽略了 uCE 对 iC与输出特性的影响，在大多数情况下，简化的微变等效电路对于工程计算来说误差很小。 图 2.4.11　三极管的简化 h 参数等效电路 c b e + ?uBE ? + ?uCE ? ?iC ?iB e b c rbe ? ?iB + ?uBE ? + ?uCE ? ?iC ?iB 4. 电压放大倍数 Au；输入电阻 Ri、输出电阻 RO C1 Rc Rb +VCC C2 RL + ? + + VT + ? Ri = rbe // Rb ， Ro = Rc rbe e b c Rc RL Rb + ? + ? 图 2.4.12　单管共射放大电路的等效电路 二、 微变等效电路法的应用 　　例：接有发射极电阻的单管放大电路，计算电压放大倍数和输入、输出电阻。 C1 Rc Rb +VCC C2 RL + ? + + VT + ? Re rbe b c Rc RL Rb + ? Re e + ? 图 2.4.14　接有发射极电阻的放大电路 rbe b c Rc RL Rb + ? Re e + ? 根据微变等效电路列方程 　　引入发射极电阻后， 降低了。 若满足(1 + ?) Re