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导电性和固体能带理论 1. 非金属及其化合物的导电性 如 6.1 节所述，金属导体、 半导体和绝缘体的主要差别在于电导率的 -1 大小。导体非常容易导电， 电导率很大， 一般大于 10S·m；绝缘体很难， -11 -1 以致全然不导电，电导率小于 10 S ·m；而半导体则介于中间，电导率 -11 -1 为 10 ～10S·m。 2 2 非金属单质中，位于周期表 p 区右上部的元素 ( 如 Cl 、O) 及稀有气 体元素 ( 如 Ne、Ar) 的单质为绝缘体，位于周期表 p 区对角线附近的元素 单质大都具有半导体的性质 ( 见图 6.7) ，其中硅和锗是公认最好的，其次 是硒，其他半导体单质各有缺点。例如，碘的蒸气压大、硼的熔点高、磷 有毒等，因而应用不多。位于周期表左边的大多数金属及其合金是导体， 已在 6.1 节中讨论过。 非金属元素的化合物中， 大多数离子晶体 ( 如 NaCl、KCl、CaO在固态 2 4 时) 和分子晶体 ( 如 CO、CCl ) 都是绝缘体。一些无机化合物和某些有机化 合物是半导体。应用最广的化合物半导体是所谓Ⅲ - Ⅴ( 主) 族化合物，以 及Ⅱ - Ⅵ族化合物， 如 GaAs、InSb、GaP以及如 ZnO、CdS、ZnSe等。此外， 2 SnO、PbS、PbSe等也是应用较多的半导体。 若把一些化合物半导体看成是由单质半导体衍生而来， 则有助于了解 半导体的化学键。例如可从下列实例中看出： GeGe→GaAs→ZnSe→CuBr ( Ⅳ- Ⅳ) ( Ⅲ- Ⅴ) ( Ⅱ- Ⅵ) ( Ⅰ- Ⅶ) 这些具有 8 个价电子①的半导体的化学键， 是共价键或共价键与离子 键 ( 不是金属键！ ) 之间的过渡键型 ( 或者说，半导体的化学键除 Ge、Si 等少数共价键外， 大多可以看成是由于极化而引起由离子键向共价键过渡 而形成的键 ) 。 与金属的导电情况不同， 大多数半导体、 绝缘体的电导率随温度升高 而迅速增加。 这是由于导电本质不同而引起的， 半导体通常是由于热激发 ( 见 7.3 节) 产生价电子和空穴而导电， 金属则是由于自由电子的存在而导 电。 作为单质半导体的材料要求有很高的纯度。 例如，半导体锗的纯度要 在 99.999999%(8 个“9”) 以上。但有时却要掺入少量杂质以改变半导体 的导电性能。恰当地掺入某种微量杂质 ( 即掺杂 ) 会大大增加半导体的导电 性，这是半导体不同于金属的另一个重要特征。 半导体硅和锗中最常用的 掺杂元素是第 V 主族元素磷、 砷、锑和第Ⅲ主旋元素硼等。 藉此可以制成 各种半导体器件，将在 7.3 节中讨论。 2. 固体能带理论 金属、半导体和其他许多固体的电子结构可以用固体能带理论来描 述。下面介绍的是以分子轨道理论为基础发展起来的固体 能带理论 。它可 以解释金属自由电子模型所不能说明的许多实验规律和事实。 例如， 固体 材料为何有导体、 半导体和绝