电力电子技术选择填空题和答案.docxVIP

精品文档 考试试卷(1) 卷 一、填空题（本题共 8 小题，每空 1 分，共 20 分） 1、电子技术包括 _____和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。 2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在 _________ 状态。当器件的工作频率较高时， __ 开关 _______损耗会成为主要的损耗。 3、在 PWM 控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为 _____________ ，当它为常数时的调制方式称为 _____同步 ____调制。在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率 之比为桓定的调制方式称为 ____________调制。 4、面积等效原理指的是， _________相等而 _______不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时， 其效果基本相同。 5、在 GTR、GTO、IGBT 与 MOSFET 中，开关速度最快的是 _________，单管输出功率最大的 是_____________，应用最为广泛的是 ___________。 6、设三相电源的相电压为 U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大 反向电压为电源线电压的峰值，即 ，其承受的最大正向电压为 。 7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为 逆变，如果接到负载，则称为 逆变。 8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路 (用 V1,VD1,V2,VD2 表示 )。 (1) 0~t1 时间段内，电流的通路为 ________；(2) t1~t2 时间段内，电流的通路为 _______； (3) t2~t3 时间段内，电流的通路为 _______； (4) t3~t4 时间段内，电流的通路为 _______； (5) t4~t5 时 间段内，电流的通路为 _______ ； . 精品文档 二、选择题（本题共 10 小题，前 4 题每题 2 分，其余每题 1 分，共 14 分） 1、单相桥式 PWM 逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（ ） A、V1 与 V4 导通， V2 与 V3 关断 B、 V1 常通， V2 常断， V3 与 V4 交替通断 C、V1 与 V4 关断， V2 与 V3 导通 D、 V1 常断， V2 常通， V3 与 V4 交替通断 2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（ ） 、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于 180 度 B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常 工作 C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为 180 度 D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为 180 度 3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在 t1~t2 时间段内，有（ ）晶闸 管导通。 A、1个 B、2 个 C、3个 D、4 个 4、对于单相交交变频电路如下图， 在 t1~t2 时间段内， P 组晶闸管变流装置与 N 组晶闸管变流装置 的工作状态是（ ） A 、 P 组阻断， N 组整流 B 、P 组阻断， N 组逆变 . 精品文档 C、 N 组阻断， P 组整流 D 、 N 组阻断， P 组逆变 5、电阻性负载三相半波可控整流电路中，控制角的范围是（ ） A 、 30°～150 B、 0°～ 120 ° C、15°～ 125 ° D 、 0°～ 150 ° 6、桓流驱动电路中加速电容 C 的作用是（ ） A 、加快功率晶体管的开通 B、延缓功率晶体管的关断 C、加深功率晶体管的饱和深度 D 、保护器件 7、直流斩波电路是一种（ ）变换电路。 A 、 AC/AC B 、 DC/AC C、 DC/DC D 、AC/DC 8、为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，桓流驱动电路经常采用（ ） A 、 du/dt 抑制电路 B、抗饱和电路 C、 di/dt 抑制电路 D、吸收电路 9、已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流（ ） A 、减小至维持电流以下 B、减小至擎住电流以下 C、减小至门极触发电流以下 D、减小至 5A 以下 10、 IGBT 是一个复合型的器件，它是（ ） A 、 GTR 驱动的 MOSFET B、 MOSFET 驱动的 GTR C、 MOSFET驱动的晶闸管 D 、 MOSFET驱动的 GTO 考试试卷(2) 卷 一、填空题（本题共 6 小题，每空 1 分，共 15 分） . 精品文档 1、 _________存在二次击穿现象， ____________ 存在擎住现象。 2、功率因数由 和 这两个因素共同决 定的。 3、晶闸管串联时，给