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第—章常用半导体元件 一半导体 1半导体三大特性 搀杂特性 热敏特性 光敏特性 2本征半导体指纯净的具有晶体结构的半导体。 3 载流子 3 载流子(Carrier) 运动电荷的粒子。 有温度环境就有载流子。 绝对零度（-273C）时晶体屮无自由电子。 4本征激发（光照、加温度） 4本征激发 （光照、加温度） 会成对产生自由电子和空穴对 H由电子（负电） 空穴（正电） 本征半导体载流子浓度为：ni=pi=KiTA（3/2）eA（-EG0/2kT） ni表示自由电子的浓度 pi表示空穴的浓度 N型半导体：电子型半导体（掺入一五价元素，如磷） 多数载流子：自由电子 少数载流子：空穴 自由电子数=空穴数+施主原子 P型半导体：空穴型半导体（掺入三价元素，如硅） 多子：空穴 少子：自由电子 空穴数=自由电子数+受主原子 二PN结 1 PN结 是指使用半导体T艺使N型和P型半导体结合处所形成的特殊结构。 PN结具有单向导电性。 ■空I可电荷区（耗尽层）P区出现负离了区，N区出现止离了|11| PN结形成“三步 PN结形成“三步 in （1） 多数载流子的扩散运动。 （2） 空间电荷区的少数载流子的漂移运动。 （3） 扩散运动与漂移运动的动态平衡， 3 PN结的单向导电性 正向偏置 P接电源正，N接电源负 ?削弱内电场，使PN结变窄。 ?扩散运动〉漂移运动。 ?称为“正向导通 反向偏置 P接电源负，N接电源正 ?增强内电场，使PN结变宽。 ?扩散运动V漂移运动 ?称为“反向截止 5 PN结伏安特性 ?单向导电性 -正向导通开启电乐 -反向截止饱和电流 反向击穿 当对PN结的外加反向电压超过一定的限度，反向电流急剧增加， 称之为反向击穿。 ?击穿有两种机理： 雪崩击穿低掺杂，耗尽层宽度较宽（少子，加速） 齐纳击穿高掺杂，耗尽层宽度较窄（強电场破坏共价健） PN结电容特性 ?PN结呈现电容效应 ?有两种电容效应 势垒电容 （和反向偏置有关）CT ?PN结外加反向偏直时，引起空间电荷区体积的变化（相当电容的极板间距变 化和电荷量的变化） 扩散电容 （和正向偏置有关）CD PN结外加正向偏宜时，引起扩散浓度梯度变化出现的电容（电荷）效应。 一 二极管是由管芯（PN结）加电极引线和管壳制成。 平而型二极管： 血接触型二极管：适合整流，低频应用（结电容人） 点接触型二极管：可高频应川（结电容小） 主要参数 主要参数 ? 最大整流电流If 二极管长期运行时允许通过的最人正向平均电流。 最高反向工作电压Ur 指工作时允许所加最大反向电压。（通常取击穿电压UBr的一半） 反向电流Ir 指是指未击穿时的反向电流。（此值越小表示管子单向导电性能越好） 最高工作频率fm 二极管工作的上限截止频率。 直流电阻和交流电阻 直流电阻R ?是二极管所加直流电压V与所流过直流电流I之比。 交流电阻r ?是其工作状态（I,V）处电压改变量与电流改变量之比。儿何意义是曲线 Q点处切线斜率的倒数。 二稳压二极管及稳压电路 ■ 稳压二极管主要参数 稳压电压1）无在规定电流下稳压管的反向击穿电压。 稳定电流氐稳压管工作在稳压状态下时的参考电流。T作电流小于此 值时稳压效果变坏，故常将IZ记作IZmin。 ￡ 额定功耗Pzm 稳压电压Uz与最人稳定电流Izm的乘积。 动态电阻门 在稳压区，端电压变化量与电流变化量的比值。（越小越好）。 温度系数a指温度每变化1 °C稳压值的变化量。 7V是正温系数（雪崩击穿）； 4V是负温系数（齐纳击穿）； 4?7V温度系数最小。 稳压电路 o 四晶体三极管 晶体三极管也叫半导体三极管。由于工作吋，多数载流子和少数载 流子都参与运行，因此，还被称为双极型晶体管。 小功率人功率管(a)晶体管的电流放大作用该基本放人器是共发射放人电路。怙走放大的外部条件“BE“CB 发射结正偏）n 0,即“CE n ”BE（集电结反偏） 小功率 人功率管 (a) 晶体管的电流放大作用 该基本放人器是共发射放人电路。怙走 放大的外部条件 “BE“CB 发射结正偏） n 0,即“CE n ”BE（集电结反偏） 晶体管的放人作川表现为小的基极电流可以控制人的集电极电流。 三晶体管电流分配关系 Ie=Ien+Iep=Icn+Ibn+IepIC=ICN+ICBOlB=TBN+lEP-ICBO=r B-ICBOIE — Ie=Ien+Iep=Icn+Ibn+Iep IC=ICN+ICBO lB=TBN+lEP-ICBO=r B-ICBO IE —扩散运动形成的电流 IB —复合运动形成的电流IC —漂移运动形成的电流 !1!共射电流放大系数CNIc — !1! 共射电流放大系数 CN Ic — /cBO 整理可得 C= 0，b+ (1 + 卩)1 CBO 一般情况下 _ 【