并行接口铁电存储器fm1808及其应用.docxVIP

RAMTRO公司生产的并行接口高性能铁电存储器 FM1808是NV- SRAM勺理想替代产品。文中介绍了 FM1808的性能特点、弓I脚功能和工作原理，同时重点介绍了铁电存储器的应用特点及与其它类型存储器之 间的应用差别，给出了 FM1808的设计应用要点。P关键词：FRAM并行接口；铁电存储器； FM1808 P 1引言 目前，数据写入频率要求较高且要求掉电不丢失数据的应用领域，通常采用内部具有锂电池的不挥 发NV-SRAM作为存储器件，但该类器件昂贵的价格又制约了其在价格敏感领域的应用，而假如使用 与其兼容的铁电存储器FRAM，则可很好地解决成本问题，同时又可得到更高的数据存储可靠性。铁电 存储器是RAMTRON公司的专利产品，该产品的核心技术是铁电晶体材料，这一非凡材料使得铁电存 储器产品同时拥有随机存储器和非易失性存储器产品的特性。FM1808是基于铁电存储器原理制造的 并行接口 2 5 6 kbit铁电存储器，该存储器相比其它类型的存储器有三大特点： 几乎可以像RAM那样无限次写入； 可随总线速度写入而无须任何写等待时间； 超低功耗。 这种铁电存储器FRAM克服了以往EEPROM和FLASH写入时间长、擦写次数少的缺点， 其价格又比相同容量的不挥发锂电NV-SRAM低很多，因而可广泛应用于在系统掉电后需要可靠保存 程序及数据的应用领域，同时也是价格昂贵的不挥发锂电NV-SRAM的理想替代产品。2性能特点及 引脚定义 FM 1 8 0 8的主要特性如下： 采用先进的铁电技术制造； 存储容量为2 5 6 kbit； 读写寿命为10 0亿次； 掉电数据可保存10年； 写数据无延时; 存取时间为7 0ns; 低功耗，工作电流为2 5mA，待机电流仅为20 g A; 采用单5V工作电压； 工作温度范围为—40C?+85C; 具有非凡优良的防潮湿、防电击及抗震性能； 与SRAM或并行E2PROM管脚兼容。 FM 1 8 0 8采用28脚PDIP和SOIC封装形式。图1给出了其SOIC封装的引脚排列， 各引脚功能说明见表1所列。 引脚号性质引脚名称 描述 AO?A14输入地址线地址数据在 CE的下降沿被锁定 DQLDQ7I/O数据线CE输入片选当CE为低电平 时，芯片被选中OE输入输出使能当OE为低电时，FM1808把数据送到总线；当 OE为高，数据线为高阻态 WE输入写使能当 WE为低电平时，总线的数据写入被 AO?A14所决定的地址中 VDD电源电压输入5V供电电 压VSS电源地 3FM 1 8 0 8工作原理 FM 1 8 0 8具有100亿次的读写寿命，它比其它类型的存储器读写寿命要高得多。尽管如此， 其读写寿命也是有限的，假如对FM 1 8 0 8的工作原理及内部结构有所了解，则在使用时就可根据其结 构特点合理使用存储单元以延长其读写寿命。 3.1存储器的结构与读写寿命 FRAM可提供比其它非易失性存储器高得多的写持久性，然而在一定程度上，存储器访问次数的 增加会造成FRAM操作岀错概率的增加，即写入存储器的数据会丢失，而存储器的内容却仍然可被正常 读岀，当然上述现象只有在存储器读写次数达到10 0亿次之后才会岀现，因此，为了延长存储器的读写 寿命，可以根据数据读写的频繁程度，将数据保存在不同的区域中以进行读写操作，例如对一些关键的数据如系统配置参数等，可以放在一个访问次数较少的区域中，而将变化频繁的数据或不需要长久保存的数 据放在单独的区域中，这样既可保证系统关键数据存储的安全性，又可保证非安全区存储器的实际擦写次 数大于10 0亿次，从而延长铁电存储器的实际使用寿命。 铁电存储器的非凡性在于每一次的读操作都会破坏原有的数据，因此必须在完成读操作后再执行一 个回写过程，这样，每执行一次读操作，同样会减少一次读写寿命，为了最大限度地增加存储器的使用寿 命，同时又不妨碍用户使用的灵活性，FM 1 8 0 8通常使用独特存储器组织。 FM 1 8 0 8的内部结构框图如图2所示。图中，FM1808的32kbyte存储器阵列被划 分为3 2块，每块是1kX8，该1kX8的每个块包括2 5 6行和4列，地址线A0?A7对行选择译 码，A8?A9对列选择译码，由于每访问一行都将减少一次寿命，因此，采用此种排列方案可很轻易地 在一个块内均匀进行周期读写，例如2 5 6个字节的数据无须两次访问同一行即可被顺序访问，而一个完 整的1kX8被读或写仅需4个周期，图3给出了 FM 1 8 0 8中一个1kX8存储器块的结构图。 FM 1 8 0 8使用A10?A1 4高位地址线来选择32个不同的存储器块，由于存储器每行不能 超过块的界限，因此读写操作频率不同的数据应放在不同的块中。 3.2读操作 FM 1 8 0 8的功能真值表如表2