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第六章 第二节新材料的研究与开发 半导体材料光电子材料 能源功能材料 超导材料磁性材料贮能材料燃料电池 纳米材料科学技术 但不同档次的硅芯片在 21 世纪仍大量存在，并将有所发展。 * 在绝缘衬底上的硅（SOI，SiOn Insulator) :功能低、低漏电、集成度高、高速度、工艺简单等。SOI 器件用于便携式通信系统，既耐高温又抗辐照。 集成系统（IS，Integrated System)：在单个芯片上完成整系统的功能，集处理器、存储器直到器件设计于一个芯片 (System on a Chip)。 集成电路的总发展趋势：高集成度、微型化、高速度、低功耗、高灵敏度、低噪声、高可靠、长寿命、多功能。为了达到上述目标，有赖于外延技术（VPE， LPE，MOCVD 及 MBE）的发展，同时对硅单晶的要求也愈来愈高。表 1 为集成电路的发展对材料质量的要求。 表 1 集成电路发展对材料质量的要求(2)第二代半导体材料是Ⅲ-Ⅴ族化合物 GaAs 电子迁移率是 Si 的 6 倍（高速），禁带宽（高温）广泛用于高速、高频、大功率、低噪音、耐高温、抗辐射器件。 GaAs 用于集成电路其处理容量大 100 倍，能力强 10 倍，抗辐射能力强 2 个量级，是携带电话的主要材料。InP 的性能比 GaAs 性能更优越，用于光纤通讯、微波、毫米波器件。 第三代半导体材料是禁带更宽的 SiC、GaN 及金刚石。 下一代集成电路的探索光集成 原子操纵 光电子材料 21 世纪光电子材料将得到更大发展电子质量：10-31 Kg / 电子 电子运动：磁场、电阻热、电磁干扰、光高速、传输（容量大、损耗低、高速、不受 电磁干扰、省材料） 光电子材料包括： 激光材料（20 世纪 60 年代初） 2 3激光：高亮度、单色、高方向性红宝石（Cr+++:Al O 2 3 非线性光学晶体（变频晶体） KDP（磷酸二氢钾）、KTP（磷酸钛氢钾） LBO（三硼酸锂）?- 表 2 主要化合物半导体及其用途 （5）显示材料 发光二级管（LED）如表 3 表 4 光纤发展阶段及所需材料光纤材料: ? 石英玻璃： SiO2、SiO2-GeO2、 SiO2-B2O3-F ? 多组分玻璃：SiO2-GaO-Na2O、 SiO2-B2O3¨CNa2O ? 红外玻璃： 重金属氧化物、卤化物 ? 掺稀土元素玻璃： Er、Nd、?- 多模只适于小容量近距离（40Km,100M bps) 单模可传输调制后的信号≥40Gbps 到 200Km， 而不需放大。 记录材料 21 世纪将是以信息存储为核心的计算机时代，在军事方面，如何快速准确地获取记录、存储、交换与发送信息是制胜的关键。 磁记录在 21 世纪初仍有很强的生命力，通过垂直磁记录技术和纳米单磁畴技术，再加先进磁头（如巨磁电阻）（GMR）的采用，有可能使每平方英寸的密度达 100GB，所用介质为氧化物磁粉（γ-Fe2O3 及加 Co - γ -Fe2O3、CrO2)，金属磁粉或钡铁氧体粉。 磁光记录：与磁记录不同之处在于记录传感元件是光头而不是磁头。磁光盘的介质主要是稀土-过渡族金属，如 TbFeCo、GdTbFe、NdFeCo，最新的是 Pb/Co 多层调制膜或 Bi 石榴石薄膜。磁光盘的特点在于可重写，可交换介质。 敏感材料 ? 计算机的控制灵敏度与精确度有赖于敏感材料的灵敏度与稳定性。 ? 敏感材料种类繁多，涉及半导体材料、功能陶瓷、高分子、生物酶与核酸链（DNA） 等。限于篇幅不一一列举。 （二）能源功能材料 ? 低温（液氦温度）超导已产业化，价格问题 ? 高温（液氮温度）超导已发现 30 多种 YBaCuO，Je≥10 5 A/cm2 （薄膜,块体） (Bi,Pb) Sr Ca Cu O (B1 2223/ Ag) 带丝线材生产稳定， 质量均一性未能解决， 2010 年可望产业化 ? 探索高温超导，及高温超导机理问题 ? 趋导失超后的安全问题磁 性 材 料 ? 硅钢片是最重量要的软磁材料（全世界 650 万吨） ? 铁基非晶态合金有明显优越性（表 5） 特别用于：电焊机，节能，体积小（1/10） 作为结构材料：耐磨（作磁头），耐蚀（代不锈钢） 硬磁材料发展很快，20 世纪 40 年代 AlNiCo，50 年代铁氧体，65 年 ReCO5,72年 R2CO17，83 年 NdFeB,磁能积提高了几十倍，从性能价格比来看，（表 6）铁氧体永磁远比其它磁性材料更具有竞争能力； NdFeB 则单位体积的性能比铁氧体高出 10 倍而得到更快的发展，目前世界产量近万吨，中国占了一半左右，但性能有待进一步提高。 下一代永磁发展目标是纳米技术的应用与新材料的探索，如：SmFeN 等。过去每 10 年提高 40kJ/m3，2010 年达可