ccd与cid检测器的知识!.docxVIP

目 前 较 成熟 的 主 要是 电 荷注 入 器件 Charge-Injection Detector （ CID ）、电 荷 耦合 器 件 Charge-Coupled Detector （ CCD）。 在这两种装置中，由光子产生的电荷被收集并储存在金属 - 氧化物 -半导体（ MOS ）电容 器中， 从而可以准确地进行象素寻址而滞后极微。 这两种装置具有随机或准随机象素寻址功 能的二维检测器。可以将一个 CCD 看作是许多个光电检测模拟移位寄存器。在光子产生的 电荷被贮存起来之后， 它们近水平方向被一行一行地通过一个高速移位寄存器记录到一个前 置放大器上。最后得到的信号被贮存在计算机里。 CCD 器件的整个工作过程是一种电荷耦合过程，因此这类器件叫电荷耦合器件。对于 CCD 器件，当一个或多个检测器的象素被某一强光谱线饱和时，便会产生溢流现象。即光 子引发的电荷充满该象素， 并流入相邻的象素， 损坏该过饱和象素及其相邻象素的分析正确 性，并且需要较长时间才能便溢流的电荷消失。 为了解决溢流问题， 应用于原子光谱分析的 CCD 器件， 在设计过程中必须进行改进， 例如： 进行分段构成分段式电荷耦合器件 （SCD）， 或在象表上加装溢流门，并结合自动积分技术等。 CID 是一种电荷注入器件（ Charge-Injected Device ），其基本结构与 CCD 相似，也是一 种 MOS 结构，当栅极上加上电压时，表面形成少数载流子（电子）的势阱，入射光子在势 阱邻近被吸收时，产生的电子被收集在势阱里，其积分过程与 CCD 一样。 CID 与 CCD 的主要区别 在于读出过程，在 CCD 中，信号电荷必须经过转移，才能读 出，信号一经读取即刻消失。而在 CID 中，信号电荷不用转移，是直接注入体内形成电流 来读出的。 即每当积分结束时， 去掉栅极上的电压， 存贮在势阱中的电荷少数载流子 （电子） 被注入到体内，从而在外电路 中引起信号电流，这 种读出方式称为非 破坏性读取 （Non-Destructive Read Out）,简称：NDRO . CID的NDRO特性使它具有优化指定波长处 的信噪比（ S/N ）的功能。 同时 CID 可寻址到任意一个或一组象素，因此可获得如“相板”一样的所有元素谱线信息。 土匪大哥介绍的很详细，也比较客观的，但是我希望土匪大哥不要“有所保留” ，让我们在 多学习一些！ 以下是光从物理角度述说的。 类 型 CCD CID 光 谱 响 应 范 围 nm 0.1~1000 200~1000 量 子 效 率 600nm 84% 37% 量 子 量 子 效 率 300nm 50% 19% 读 数 噪 音 e- 5 60 以上数据出自： Instrumentation for Optical Emission Spectroscopy, 1988 V2 N67 Analytical Chemistry ， V60 N4 Feb.15.1988 分 析 实 验 室 ， 1995,14(5),82 事实上， CCD 与 CID 相比，具有量子效率高，响应范围宽，信噪比高，暗电流小的优点！