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晶体电光效应
一、实验目的
1测量LN晶体的半波电压;
2、观察电光调制器的工作性质。
、实验原理
电场施加在晶体上,会使晶体的折射率发生变化,这种现象称之为电光效应。下图为晶 体电光调制原理示意图。
LNHHft-Z Z1和4
LNHHft-
Z Z1
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图中起偏器P偏振化方向平行于晶体的 x轴,且与检偏器正交,波长为 入的光束沿z轴(光
TOC \o 1-5 \h \z 轴)入射,电场方向平行于 x轴,x、y为晶体的感应轴,与 x、y轴成n / 4角。当光束通 过长为I的晶体后,偏振光 x、y两分量间产生位相差 ,
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g n )l n。22V (1)
式中n0,「22
式中n0,「22和d分别为晶体的 时,施加的电压称为半波电压
O光折射率,电光系数及厚度,V为施加的直流电压。当s = n Vn,因此时偏振光x.y两分量间产生的光程差为 入/2。由式
(1)则位相差可表为
(1)
则位相差可表为
V ( /2n3 22)牛
偏振光x .y两分量复振幅可分别写为
Ex(l) A
Ey(l) Ae i
通过检偏器的出射光,是此两分量在 y轴上投影之和
(Ey)o (AM/2)(ei 1)
相应的输出光强I可写成
2
* A i i 2 2
Io (Ey)o(Ey)o (_2)[(e 1)(e 1)] 2A sin /2
光强透过率
I。
I。? 2/ 、
匚 sin(2)
sin 2(、
2V
由上式知透过率与电压的关系是非线性的。 为了进行线性调制,在调制光路中加入一个—波
4
片,使其光轴与0P成45。,则
Io1sin 2[1(2 2VV)]
Io
1
sin 2[1(
2 2V
V)] 1[1 sin(—)]
2 V
式中为Vo直流偏压,Vm sin? t为交流调制信号。从上式可知,改变 随之变化。当 Vo= Vn /2,且VmV n时,式⑺ 可近似为
⑺
Vo或Vm,输出特性将
Io
Ii
2[1
严n mt]
(8)
即Tx Vm sin? t,此时调制器输出波形频率和调制频率相同,即线性调制。
三、实验仪器
LN晶体横向电光调制器,电光效应仪,示波器。
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四、实验步骤
1光路的调节
1 ?首先将起偏器 P与检偏器 A调节成相互垂直(即偏振方向相互正交) ,此时透过 A
的光强应为最小(如果 P和A都是理想的话,则应无光通过)。
2?将装有LN晶体的支架放在 P与A之间,调节LN支架,使LN晶体的光轴(z轴)与 激光束平行。方法为:在 A之后放一白纸,可看到,由于锥光干涉产生的十字阴影,使激光 束处在黑十字阴影的正中时,就可以认为大体调好了。
在示波器上观察被交变电压调制的光强波形,
在示波器上观察被交变电压调制的光强波形,
调节LN晶体的感应主轴 X’和y与P和A的偏振方向成45o夹角。调节方法可参
考如下步骤:首先在晶体上加上直流电压(约 50V),然后使P和A向同一方向转过同样的
角度,直到通过A的光强为最小时为止, 记下此时P和A度盘上的角度值。这时外加电压的 变化不能改变透过 A的光强。这样 P和A的方向与X’和y ’轴平行。然后当需要测量半波 电压时,就使P和A向同一方向转过 450,这样就调节完了。
将入/4波片加入光路,在 P和A的方向与X,和丫/轴平行的状态下,当晶体上不 加电压时,旋转 入/4波片,使透过 A的光强最小,此时波片的光轴与 P平行或者成900。 记下此时波片刻度盘上的角度值。
当需要将调制器的工作点放在如图 3中的B点处,就将 入/4波片旋转450。
2、测LN晶体的半波电压。
在光路调好的前提下,将光电探测器接于④t光电输入端 ,开关指向光功率。
(2 )将LN接于②t输出端。
打开电源开关①,则②③④数显表亮。
调节直流电压从 0伏到约300V,每 步间隔10V,记录每步光功率I o显示)及 V (直流电压)数据。根据此组数据画出
LN晶体I。一 V曲线图,由图确定 LN晶体 的半波电压。
观察电光调制器的工作性质。
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