固体物理学：07_06 PN 结.pdf

固体物理学_黄昆_第七章 半导体电子论 §7.6 PN 结 PN 结的构成：半导体材料的一部分是N 型半导体材料，一部分是P 型半导体材料型。 PN 结的性质：单向导电性。电流随电压变化的特性如图XCH007_012 所示。 1. 平衡PN 结势垒 E −E E −E − F F + − − k T k T 电子浓度：n N −e B ； 空穴浓度：p N +e B 掺杂的N 半导体材料，在杂质激发的载流子范围， 电子的浓度远远大于空穴的浓度，因此费密能级 在带隙的上半部，接近导带。而在 P 型半导体材 料中，费密能级在带隙的下半部，接近价带。 在半导体中，由N 型和P 型材料分别形成两个区， 通常称为N 区和P 区。由于N 区和P 区的费密能 级不相等，在两区的接触面，即PN 结处产生电 荷的积累，稳定后形成一定的电势差。如图 XCH007_013 所示。 P 区相对于N 区具有电势差−V ——P 区电子的 D 能量向上移动：qVD —— 恰好抵消原来P 区和N 区电子费密能级的差 别 满足：qVD (EF )N −(EF )P 由于半导体中载流子浓度远远低于金属，因此PN 结处形成的电荷空间分布区域约在微米数量级。 REVISED TIME: 05-5-26 - 1 - CREATED BY XCH 固体物理学_黄昆_第七章 半导体电子论 PN 结势垒作用 正负载流子在PN 结处聚集，在PN 结内部形成电场——自建场。这个电场对于N 区的电子和P 区 的空穴是一个势垒。 势垒的作用一方面阻止N 区大浓度的电子向P 区扩散，另一方面也阻止P 区大浓度的空穴向N 区扩 散。平衡PN 结中是载流子的扩散和漂移运动的相对平衡。 由于扩散和漂移形成平衡电荷分布，满足玻耳兹曼统计规律，N 区和P 区热平衡下电子浓度分别为： ( + )− E−−EF E− qVD EF − − n0 N −e kB T ，n0 N e kB T N P − 0 n 两式相比： P e−qVD / kB T ，n0 n0 e−qVD / kB T 0 P N n N 0 p N −qVD / kB T N 区和P 区热平衡下空穴浓度之比： e 0 p P 2. PN 结的正向注入 当PN 结加有正向偏压—— P 区为正电压，如图XCH007_0 14_0 1~02 所示。外电场与自建场方向相 反，外电场减弱PN 结区的电场，使原有的载流子平衡受到破坏。这种情况下，势垒降低，电子从 N 区扩散到P 区，空穴从P 区扩散到N 区，形成比较显著的正向电流，称为非平衡载流子——称为 PN 结的正向注入。 电流密度的计算 由于正向注入，P 区边界电子的浓度变为nP REVISED TIME: 05-5-26 - 2 - CREATED BY XCH