固体物理学：07_08 异质结.pdf

固体物理学_黄昆_第七章 半导体电子论 §7.8 异质结 同质结：由同种半导体材料构成的N 区或P 区，形成的PN 结。如将两块带隙宽度相同、掺杂不 同的半导体材料，在一定的条件下生长在一起形成同质结。 异质结：两种带隙宽度不同的半导体材料生长在同一块单晶上形成的结。 同型异质结：结的两边导电类型相同：NN ，PP 结 异型异质结：结的两边导电类型不相同：NP ，PN 结 —— 对于异型异质结：两种材料的带隙不同，左边为N 型，右边为P 型，如图XCH007_021 所示。 两种半导体材料构成异质结前的能级图如图XCH007_021 所示。 —— 由于N 型何P 型半导体材料的费密能级不同，接触以后N 型材料中电子流向P 型材料中，最 后达到平衡时，两种材料的费密能级相等。 两种半导体材料构成异质结后的能级图如图XCH007_021_01 所示。 两种半导体材料组成异质结后，在界面处导带底和价带顶是不连续的，其差值分别为： ∆E χ −χ C 1 2 ∆E (χ +E ) −(χ +E ) V 1 g 1 2 g 2 ∆E E −E +∆E V g 1 g 2 C PN 结势垒的形成 —— 由于两种材料的费密能级不同，形成异质结时，电子从高费密能级材料流向低费密能级材料， 形成 PN 结势垒。形成异质结时，能带在界面处间断，在势垒的一侧出现尖峰，另一侧出现峡谷。 REVISED TIME: 05-6-2 - 1 - CREATED BY XCH 固体物理学_黄昆_第七章 半导体电子论 如图XCH007_022 所示。 异质结的“注入比” 注入到P 区的电子电流密度： D j qn0 eqV / kB T n − ( −1) n P L n D 注入到N 区的空穴电流密度：j qp0 eqV / kB T p − ( −1) p N L p E g − k T 热平衡条件：n p N N e B 0 0 − + j D L n0 j D L N 同质PN 结注入比： n n p P ， n n p D j D L p 0 j D L N p p n N p p n A j D L n0 异质PN 结注入比： n n p P j D L p 0 p p n N (Eg )N −(Eg )P j D L N n n p D kBT e j p D p Ln N A —— 如果N 型区的带隙宽度大于P 型区带隙