第二章太阳辐射.pptVIP

2021/2/6 * 1、光生伏打效应 P区 光生电场 N区 内建电场ε 2021/2/6 * 1、光生伏打效应 光生电场除了部分抵消势垒电场的作用外,还使P区带正电,N区带负电,在N区和P区之间的薄层就产生电动势,这就是光生伏打效应。当电池接上一负载后,光电流就从P区经负载流至N区,负载中即得到功率输出。 如果将P-N结两端开路,可以测得这个电动势,称之为开路电压Uoc。对晶体硅电池来说,开路电压的典型值为0.5～0.6V。 如果将外电路短路,则外电路中就有与入射光能量成正比的光电流流过,这个电流称为短路电流Isc。 2021/2/6 * 1、光生伏打效应 影响光电流的因素: 通过光照在界面层产生的电子-空穴对愈多,电流愈大。 界面层吸收的光能愈多,界面层即电池面积愈大,在太阳电池中形成的电流也愈大。 太阳能电池的N区、耗尽区和P区均能产生光生载流子; 各区中的光生载流子必须在复合之前越过耗尽区,才能对光电流有贡献,所以求解实际的光生电流必须考虑到各区中的产生和复合、扩散和漂移等各种因素。 2021/2/6 * 2、太阳能电池材料的光学性质 太阳能电池的光学性质,常常决定着太阳能电池的极限效率,而且也是工艺设计的依据。 ⑴ 吸收定律 当一束光谱辐照度为I0的光正交入射到半导体表面上时,扣除反射后,进入半导体的光谱辐照度为I0(1-R),在半导体内离前表面距离为x处的光谱辐照度Ix由吸收定律决定: 2021/2/6 * ⑴ 吸收定律 进入半导体的光到达x处的光谱辐照度。 反射率 吸收系数 2021/2/6 * ⑴ 吸收定律: 当薄片厚度为d时,我们可以得到关于透射率更完整的近似表达式。 单晶硅、砷化镓和一些重要 太阳能电池材料的吸收系数 与波长的关系如图所示。 2021/2/6 * 2、太阳能电池材料的光学性质 ⑵ 本征吸收 在原子图像中,硅的本征吸收可以理解为一个硅原子吸收一个光子后受到激发,使得一个共价电子变成了自由电子,同时在共价键断裂处留下一个空穴。 实验发现,只有那些 大于禁带宽度Eg的光子,才能产生本征吸收。 2021/2/6 * ⑵ 本征吸收 显然入射光子必须满足 或 式中 --刚好能产生本征吸收的光的频率（频率吸限）; --刚好能产生本征吸收的光的波长（波长吸收限）。 可以认为,硅对于波长大于1.15μm的红外光是透明的。 2021/2/6 * 3、太阳能电池等效电路、输出功率和填充因数 ⑴ 等效电路 为了描述电池的工作状态,往往将电池及负载系统用一个等效电路来模拟。 不考虑串联电阻 考虑串联电阻 P-N同质结太阳能电池等效电路 2021/2/6 * ⑴ 等效电路 恒流源: 在恒定光照下,一个处于工作状态的太阳电池,其光电流不随工作状态而变化,在等效电路中可把它看做是恒流源。 暗电流Ibk : 光电流一部分流经负载RL,在负载两端建立起端电压U,反过来,它又正向偏置于PN结,引起一股与光电流方向相反的暗电流Ibk。 这样,一个理想的PN同质结太阳能电池的等效电路就被绘制成如图所示。 2021/2/6 * ⑴ 等效电路 串联电阻RS: 由于前面和背面的电极接触,以及材料本身具有一定的电阻率,基区和顶层都不可避免地要引入附加电阻。流经负载的电流经过它们时,必然引起损耗。在等效电路中,可将它们的总效果用一个串联电阻RS来表示。 并联电阻RSh 由于电池边沿的漏电和制作金属化电极时在微裂纹、划痕等处形成的金属桥漏电等,使一部分本应通过负载的电流短路,这种作用的大小可用一个并联电阻RSh来等效。 2021/2/6 * ⑵ 输出功率 当流进负载RL的电流为I,负载RL的端电压为U时,可得: 式中的P就是太阳能电池被照射时在负载RL上得到的输出功率。 2021/2/6 * ⑵ 输出功率 当负载RL从0变到无穷大时,输出电压U则从0变到U0C,同时输出电流便从ISC变到0,由此即可画出太阳能电池的负载特性曲线。曲线上的任一点都称为工作点,工作点和原点的连线称为负载线,负载线的斜率的倒数即等于RL,与工作点对应的横、纵坐标即为工作电压和工作电流。 2021/2/6 * ⑵ 输出功率 调节负载电阻RL到某一值Rm时,在曲线上得到一点M,对应的工作电流Im和工作电压Um之积最大,即: Pm=ImUm 一般