固体物理学：07_03 半导体中电子的费密统计分布.pdf

固体物理学_黄昆_第七章 半导体电子论 §7.3 半导体中电子的费密统计分布 1. 半导体载流子的近似玻耳兹曼统计 半导体中的电子和金属中的电子一样服从费密——狄拉克统计。在金属中，电子填充空带的部分形 成导带，相应的费密能级位于导带中。 对于掺杂不太多的半导体，在热平衡下，导带中有从施主能级激发到导带中的电子，价带中还有少 量的空穴。 —— 半导体中电子的费密能级位于带隙之中 —— 且有E −E k T , E −E k T − F B F + B 1 导电电子在导带各能级分布的几率：f (E ) E −E F k T e B +1 由于E −EF E− −EF kB T , 如图XCH007_006_01 所示。 E −E F − k T 所以 f (E ) ≈e B ——导带中的电子接近经典玻耳兹曼分布。 E −E F − k T 从f (E ) ≈e B 得出：f (E ) 1 —— 导带中每个能级上电子的平均占据数很小。 1 1 满带中空穴占据的几率——不被电子所占据的几率：1 ( ) 1 −f E − E −E E −E F F k T k T B B e +1 e +1 由于EF −E EF −E+ kB T , 如图XCH007_006_01 所示。 REVISED TIME: 05-5-23 - 1 - CREATED BY XCH 固体物理学_黄昆_第七章 半导体电子论 E −E F − k T 所以 1−f (E ) ≈e B —— 空穴占据状态的 E 越低（电子的能量），对于空穴来说能量越高，空 穴平均占据数越小（电子占据数越大）。 在半导体材料中，导