第五章-硅外延生长..pptVIP

2021/2/6 * 键合(Bonded)技术优缺点: 硅膜质量高 埋氧厚度和硅膜厚度可以随意调整 适合于大功率器件及MEMS技术 硅膜减薄一直是制约该技术发展的重要障碍 键合要用两片体硅片制成一片SOI衬底,成本至少是体硅的两倍 2021/2/6 * 2021/2/6 * SDB 2021/2/6 * SIMOX (Separating by Implanting Oxide )氧注入隔离,是通过氧离子注入到硅片,再经高温退火过程消除注入缺陷而成. 2.SIMOX 2021/2/6 * O2 O2 2021/2/6 * 采用SIMOX技术制备的硅膜均匀性较好,调整氧离子注入剂量可使厚度控制在50～400nm的范围。但由于需要昂贵的高能大束流离子注入机,还要经过高温退火过程,所以制备成本很高,价格非常贵。 采用SIMOX技术制备的顶层硅膜通常较薄,为此,人们采用在SIMOX基片上外延的方法来获得较厚的顶层硅,即所谓的ESIMOX（Epoxy SIMOX）技术。但是厚外延将在硅膜中引起较多的缺陷,因此SIMOX技术通常用于制备薄硅膜、薄埋氧层的SOI材料。 2021/2/6 * 2021/2/6 * 各层性能 20世纪90年代 今后 上层Si的均匀性/埃 ＜±100　　　 ＜±25 SiO2埋层厚度/um 0.3~0.5 0.05~0.5 SiO2埋层的均匀性 ±3% ±1% 平均缺陷密度/cm-2 105~104 103~102 样品表面的粒子数 注入后/cm-2(粒子大小) ＜0.75 ＜0.016 退火后/cm-2(粒子大小) ＜0.016 ＜0.016 SIMOX材料现在的水平和今后的需要 2021/2/6 * SIMOX材料: 最新趋势是采用较小的氧注入剂量 显著改善顶部硅层的质量 降低SIMOX材料的成本 低注入剂量(~ 4?1017/cm2)的埋氧厚度薄:800～1000? 退火温度高于1300℃,制备大面积(?300mm)SIMOX材料困难 2021/2/6 * Smart Cut智能切割兼具有SDB和SIMOX的特点,工艺流程包括热氧化、注氢、低温键合、热处理剥离、精密抛光等。这种方法制得的硅片顶部硅膜的均匀性相当好,单片厚度偏差和片间偏差可控制在10nm以内,另外生产成本也可降低,因为不需要昂贵的专用大束流离子注入机和长时间的高温退火,所以这是一种极有前途的SOI制备技术。特别适用于制备薄硅膜、厚埋氧层材料。 3.Smart Cut 2021/2/6 * 2021/2/6 * Smart-Cut技术是一种智能剥离技术 将离子注入技术和硅片键合技术结合在一起 解决了键合SOI中硅膜减薄问题,可以获得均匀性很好的顶层硅膜 硅膜质量接近体硅。 剥离后的硅片可以作为下次键合的衬底,降低成本 2021/2/6 * H2 H2 2021/2/6 * Smart Cut 2021/2/6 * Smart Cut 2021/2/6 * Smart Cut 2021/2/6 * ELTRAN技术(Epoxy Layer Transfer)外延层转移,独特之处在于在多孔硅表面上可生长平整的外延层,并能以合理的速率将多孔硅区域彻底刻蚀掉 ,该技术保留了外延层所具有的原子平整性,在晶体形成过程中也不产生颗粒堆积或凹坑,因此具有比其它SOI技术更为优越的性能。 4.ELTRAN 2021/2/6 * 2021/2/6 * ELTRAN 2021/2/6 * ELTRAN 2021/2/6 * 2021/2/6 * 以上4种制备SOI材料的方法各有所长,用户可以根据不同的材料要求,选择不同的制备方法。 SDB法通常用于制取厚埋氧层材料,其硅层的厚度取决于硅片减薄技术的进展。早期该技术只能制备厚硅层材料,后来随着BE（Back Etch） Bonding技术和CMP（Chemical Mechanical Polishing）技术的发展,也可以用于制备极薄的顶层硅（0.1μm ）。 而SIMOX法由于氧注入条件的限制,只能制取薄硅层（0.1～0.4μm）和薄埋氧层（0.1～0.4μm）材料。要获得厚的硅层,必须再进行外延,即采用ESIMOX法。 而Smart Cut法由于采用了键合工艺,则最适用于制备薄硅层（0.1～1μm）和厚埋氧层材料。 ELTRAN法的适用范围最宽,可根据用户要求,提供从几十纳米到几十微米的硅层和埋氧层。 2021/2/6 * 作业五: 什么是同质外延,异质外延,直接外延,间接外延? 什么是自掺杂?外掺杂?抑制自掺杂的途径有哪些? 什么是SOS,SOI技术 SOI材料的生长方法有哪些?每种方法是如何实现的? * * 双栅SOI,降低短沟道效应，适合小尺寸器件;两个