光电子发射探测器.ppt

感兴趣的是阳极伏安特性， 可以看作恒流源。 5. 输出信号和等效电路 ⑴图解法 : 图 3-16 ⑵等效电路 当 时， 为线性应用。 对直流通路： 对交流通路： 2 max 2 a L a V V R S ? ? ? max L L R R ? 0 2 1 ( ) a I S ? ? ? ? ? 0 2 1 ( ) a L V S R ? ? ? ? ? 0 sin a m i S t ? ? ? 0 sin a L m V S R t ? ? ? 6. 线性 ⑴引起非线性的原因： 空间电荷 内因：光电倍增管内部结构：光电阴极电阻率 聚焦和收集效率变化 信号电流 → 负载电阻 外因：外部高压供电和信号输出电路： 负反馈 电压再分配 ⑵解决方法 ①极间电压保持足够高； ②阴极电阻：（一部分被照射，一部分没有被照射）； ③负载电阻：光电流 → 负载电阻压降 → 阳极电压 ↓ 用运放作电流电压转换，减小有效负载电阻； ④阳极或倍增输出电流引起电阻链中电压再分配： I ↑→ 电阻压降 → 阳极电压 ↓ →0 解决办法： 电阻链中的电流至少应大于 1000 倍的最大阳极电流。 7. 稳定性 阳极电流随工作时间的变化，在闪烁计数和光度测量中 十分重要。 ⑴长期工作中灵敏度的慢漂移 原因：最后 n 级倍增极在大量电子轰击下受损，引起二次发 射系数变化。 ⑵滞后效应：在光电倍增管加上高压或开始光照的短时间内， 阳极输出的不稳定。 解决方法： ①抗滞后设计； ②老化（不可逆）：光电倍增管的残余气体与光电阴极作用， 玻璃中的 Na 离子掺入光电阴极使灵敏度下降； 新的光电倍增管自然老化一段时间后再使用，使用的阳极 电流小一些，可以减缓老化过程。 m m I I 100% ax in i H I ? ? ? ③疲劳：可逆过程 → 阳极电流 倍增极材料 使用前存放条件 灵敏度降低后，在黑暗中放置几个小时再使用可恢复原状态 . 8. 时间特性和 频率特点 ⑴上升时间： 10% → 90% 所用的时间。 ⑵渡越时间：光脉冲到达光电阴极和阳极输出最大脉冲电流 达到最大值的时间间隔定义为光电子的渡越时间。 ⑶渡越时间离散： 函数光脉冲照到光电阴极的不同区域，发 射的电子到达阳极的渡越时间的不一致性。 ? 1. 光电子发射探测器：基于光电效应的光电探测器， 也叫真空探测器。 光 → 光敏材料 发射电子 → 电流 2. 分类 光电管：正逐渐被价格低廉，性能稳定的半导体 光电探测器取代。 高内增益： 10 7 （二次发射增益因子）可敏 感单个光电子，适合微光探测。 光电倍增管 响应速度快：适合快速脉冲弱光信号探测。 ??? ? 吸光能 § 3.1 光电子发射效应 概述：光电子发射效应（外光电效应），逸出物质表面 的电子叫做光电子。 物理基础：爱因斯坦方程： ：物体的逸出功或功函数 ：物体逸出表面时的速度 一 . 金属的光电子发射 图３ -1 说明金属能级分布规律： E F : 费米能级 E A : 表面势垒的高度， 也称金属对电子的亲和势。 2 0 1 2 hv mv W ? ? ? W ? 0 v 情况 1 ： T=0K 时，能量最大电子处于费米能级上 (3-1) 电子逸出表面的运动能 : ①当各种散射损耗 =0 时， 最大， ②金属逸出功： 代入公式 3-1 得 : 此为： T=0K 时，爱因斯坦方程。 0 A F E E W hv ? ? ? ? 2 max 0 1 ( ) 2 mv hv W h v v ? ? ? ? ? 2 1 2 F A mv E hv E E ? ? ? ? ? ? max v ? v 情况 2 ： T0K 时 : 由图 3-1 可知，存在高于费米能级的电子 因此 电子存在， ∴ 存在 的一个拖尾。 爱因斯坦方程不再成立！！ 思考：为什么 T ＞ 0 Ｋ时爱因斯坦方程不成立？ 特例：常温时， 的电子很少，拖尾现象很小，近似 认为爱因斯坦定律在室温下是成立的。 二、半导体的光电子发射 为什么金属发射电子少而半导体易于发射？ max v v ? 0 v v ? max v v ? ①表面逸出功高。 金属： ②表面反射强，对光辐射的吸收率低。 ③内部存在大量电子，相互碰撞损失能量。 ①对入射光反射系数小，吸收系数大，在长波限就 有电子发射。 ａ：趋向表面运动的过程中 ② 阴极层导电性适中： 损失能量比金属小； 半导体 ｂ：传导电子的补充不发生 困难。 ③半导体中存在着大量的发射中心（价带中有大的 电子密度）。 ④小的光电逸出功，较高的量子效率。 半导体中光电子发射过程：（三步） ⑴对光电子的吸收： ：逸出 ：在半导体中，对光电导有贡献。 本征发射：本征吸收系数高， 量子效率高 20 ～ 30% 。 光电子： 杂质发射：浓度