光度学基础与光源.pptVIP

2021/3/14 * * ① 伏安特性 正向电压较小不发光--- 正向死区 --- 与普通半导体二极管相同 开启电压: GaAs --- 1V GaAsP --- 1.5V GaP（红） --- 1.8V GaP（绿） --- 2V 大量发光区 电压:1.5~3V 加反向电压时不发光 --- 反向饱和电流 反向击穿电压:5~20V左右 ---工作电压 2021/3/14 * * ② 光谱特性 --- 不是纯单色光（谱线比激光宽、比复色光源窄） 峰值波长700nm左右, 半宽度约100nm; GaAs --- 谱线宽度25nm （单色光） P-N结温度上升 --- 峰值波长向长波方向漂移 （正温度系数） 2021/3/14 * * ③ 发光亮度特性 --- 正比于电流密度 电流密度增加 --- 发光亮度趋于饱和 脉冲驱动方式 --- 更高的亮度 （平均电流与直流相等） 2021/3/14 * * ④ 温度特性 --- 对P-N结复合电流有影响 P-N结温度升高到一定程度 --- 电流变小 --- 发光亮度减弱 2021/3/14 * * ⑤ 配光曲线 --- 光强分布曲线 与LED的结构、封装方式以及发光二极管前端装的透镜有关 很强的指向性 发光角 --- ?80?之间