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- 2021-03-17 发布于天津
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卑微如蝼蚁、坚强似大象
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几种用于IGBT驱动的集成芯片
2. 1 TLP250 ( TOSHIBA 公司生产)
在一
般
较低性能
的
三相电压源
逆变器中,
各种与电流相
关的
性
能控
制
,通过检
测
直流母线上
流入逆变桥
的直流电流即
可,
如
变频
器
中的自动
转
矩补偿、转
差率补偿等。
同时,这一检
测结
果
也可
以
用来完成
对
逆变单元中
IGBT实现过
流保护等功能
。因
此
在这
种
逆变器中
,
对IGBT驱动电路的要求相
对比较简单,
成本
也
比较
低
。这种类
型
的驱动芯片
主要有东芝
公司生产的TLP250,
夏
普公
司
生产的PC923等等。这里
主要针对TLP250做一介绍。
TLP250
包含一个
GaAlAs光发射二
1极管和一个
集成光探测器
,8
脚
双列
封
装结构。
适
合于IGBT或
电力MOSFET栅极驱动电路。
图2
为TLP250的内部结构简图,表1给出了其工作时的真值表
TLP250的典型特征如下:
1) 输入阈值电流(IF) : 5 mA (最大);
2) 电源电流(ICC) : 11 mA (最大);
3) 电源电压(VCC) : 10?35 V;
4) 输出电流(IO) : ±0.5 A (最 小);
5) 开关时间(tPLH /tPHL ) : 0.5卩(s最大);
6) 隔离电压:2500 Vpms (最小)。
表2给出了 TLP250的开关特性,表3给出了 TLP250的推荐工作条件
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注:使用TLP250时应在管脚8和5间连接一个0.1卩的陶瓷电容来 稳定高增益线性放大器的工作,提供的旁路作用失效会损坏开 关性能,电容和光耦之间的引线长度不应超过1 cm。
图3和图4给出了 TLP250的两种典型的应用电路。
在图4中
在图4中,TR1和TR2的选取与用于IGBT驱动的栅极电阻有直接的
关系,例如, 电源电压为24V时,TR1和TR2的Icmax 24/Rg
图5给出了 TLP250驱 动IGBT时,1 200 V/200 A的IGBT上电 流 的实验波形
50 A/10 Qs。可以看出,由于TLP250不具备过流保护功能,当IGBT过流时, 通过控制信号关 断IGBT, IGBT中电流的下降很陡,且有一个反向的冲 击。这将会产生很大的di/dt和开关损耗,而且对控制电路的过流 保护功能要求很高。
TLP250使用特点:
1) TLP250输出电流较小,对较大功率IGBT实施驱动时,需要外 加功率放大电路。
2) 由于流过IGBT的电流是通过其它电路检测来完成的,而且 仅仅检测流过IGBT的电流,这就有可能对于IGBT的使用效率产生 一定的影响,比如IGBT在安全工作区时,有时出现的提前保护 等。
3) 要求控制电路和检测电路对于电流信号的响应要快,一般 由过电流发生到IGBT可靠关断应在10卩以内完成。
4) 当过电流发生时,TLP250得到控制器发出的关断信号,对 IGBT的栅极施加一负电压,使IGBT硬关断。这种主电路的dv/dt比正 常开关状态下大了许多,造成了施加于IGBT两端的电压升高很 多,有时就可能造成IGBT的击穿。
2.2 EXB8..Series ( FUJI ELECTRIC 公司生产
随着有些电气设备对三相逆变器输出性能要求的提高及逆变 器本身的原因,在现有的许多逆变器中,把逆变单元IGBT的驱动 与保护和主电路电流的检测分别由不同的电路来完成。这种驱 动方式既提高了逆变器的性能,又提高了 IGBT的工作效率,使 IGBT更好地在安全工作区工作。这类芯片有富
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