几种用于IGBT驱动的集成芯片.docxVIP

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  • 2021-03-17 发布于天津
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共享知识 分享快乐 共享知识 分享快乐 卑微如蝼蚁、坚强似大象 卑微如蝼蚁、坚强似大象 几种用于IGBT驱动的集成芯片 2. 1 TLP250 ( TOSHIBA 公司生产) 在一 般 较低性能 的 三相电压源 逆变器中, 各种与电流相 关的 性 能控 制 ,通过检 测 直流母线上 流入逆变桥 的直流电流即 可, 如 变频 器 中的自动 转 矩补偿、转 差率补偿等。 同时,这一检 测结 果 也可 以 用来完成 对 逆变单元中 IGBT实现过 流保护等功能 。因 此 在这 种 逆变器中 , 对IGBT驱动电路的要求相 对比较简单, 成本 也 比较 低 。这种类 型 的驱动芯片 主要有东芝 公司生产的TLP250, 夏 普公 司 生产的PC923等等。这里 主要针对TLP250做一介绍。 TLP250 包含一个 GaAlAs光发射二 1极管和一个 集成光探测器 ,8 脚 双列 封 装结构。 适 合于IGBT或 电力MOSFET栅极驱动电路。 图2 为TLP250的内部结构简图,表1给出了其工作时的真值表 TLP250的典型特征如下: 1) 输入阈值电流(IF) : 5 mA (最大); 2) 电源电流(ICC) : 11 mA (最大); 3) 电源电压(VCC) : 10?35 V; 4) 输出电流(IO) : ±0.5 A (最 小); 5) 开关时间(tPLH /tPHL ) : 0.5卩(s最大); 6) 隔离电压:2500 Vpms (最小)。 表2给出了 TLP250的开关特性,表3给出了 TLP250的推荐工作条件 崇2 口以0的电宜特性 1W. 可:; ■EG 馆试%件 祉小trm ma 託一爲 °利| 2 /, = $ r?A -L 15 I], 5 鳥—ill t ki |t^ 1.., - j- 15 —ii. 15 (1. 5 输岀上升町创 L ji- 1111 = - 15 V — - 输;|:下痔时间 r.i 4 m = 2(m n 二 二 l. * - Nil) V. 冉志输出吋共 nil ri - K nA -5 hk* 虫融2朮比虫 Hl i i x 二 M V * ! l. 1 u - fiOO \. It盘输岀时Jt f. .ii A z 1} mA 式幫住抗崔陵 Jlr * 1 7 切 \ , T d: ft I If忙恥的擂转工作枭样 斤件 符巧和訐 帯小杯笊 [血大? TOC \o 1-5 \h \z S7画ST丽-”山 in 樁人斯 1, \ o — u. n 电鸡电〔巨 b \ 15 - .to 如 搐価输出趣粧 Mr丿血— t). ? [r iUit i ( 加 邛 7[)町 注:使用TLP250时应在管脚8和5间连接一个0.1卩的陶瓷电容来 稳定高增益线性放大器的工作,提供的旁路作用失效会损坏开 关性能,电容和光耦之间的引线长度不应超过1 cm。 图3和图4给出了 TLP250的两种典型的应用电路。 在图4中 在图4中,TR1和TR2的选取与用于IGBT驱动的栅极电阻有直接的 关系,例如, 电源电压为24V时,TR1和TR2的Icmax 24/Rg 图5给出了 TLP250驱 动IGBT时,1 200 V/200 A的IGBT上电 流 的实验波形 50 A/10 Qs。可以看出,由于TLP250不具备过流保护功能,当IGBT过流时, 通过控制信号关 断IGBT, IGBT中电流的下降很陡,且有一个反向的冲 击。这将会产生很大的di/dt和开关损耗,而且对控制电路的过流 保护功能要求很高。 TLP250使用特点: 1) TLP250输出电流较小,对较大功率IGBT实施驱动时,需要外 加功率放大电路。 2) 由于流过IGBT的电流是通过其它电路检测来完成的,而且 仅仅检测流过IGBT的电流,这就有可能对于IGBT的使用效率产生 一定的影响,比如IGBT在安全工作区时,有时出现的提前保护 等。 3) 要求控制电路和检测电路对于电流信号的响应要快,一般 由过电流发生到IGBT可靠关断应在10卩以内完成。 4) 当过电流发生时,TLP250得到控制器发出的关断信号,对 IGBT的栅极施加一负电压,使IGBT硬关断。这种主电路的dv/dt比正 常开关状态下大了许多,造成了施加于IGBT两端的电压升高很 多,有时就可能造成IGBT的击穿。 2.2 EXB8..Series ( FUJI ELECTRIC 公司生产 随着有些电气设备对三相逆变器输出性能要求的提高及逆变 器本身的原因,在现有的许多逆变器中,把逆变单元IGBT的驱动 与保护和主电路电流的检测分别由不同的电路来完成。这种驱 动方式既提高了逆变器的性能,又提高了 IGBT的工作效率,使 IGBT更好地在安全工作区工作。这类芯片有富

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