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安徽大学 2013--2014 学年第 1 学期《模拟电子技术基础》考试试卷 (A 卷 ) (闭卷 时间 120 分钟) 一、填空题（ 15 分） 1． PN 结构成的半导体二极管具有的主要特性是  性。 2、双极性晶体三极管工作于放大模式的外部条件是  。 3．从信号的传输途径看，集成运放由 、  、 这几个部分组成。  、 4．某放大器的下限角频率  L ，上限角频率  H ，则带宽为  Hz。 5．共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其 的特点以获得较高增益。 6．在 RC 桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大 倍数要略大于 才能起振。 7．电压比较器工作时，在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，单限比较器的 输出状态发生 次跃变，迟滞比较器的输出状态发生 次跃变。 8．直流稳压电源的主要组成部分： 、 、 。  、 二、单项选择题（ 15 分） 1．当温度升高的时候， 二极管反向饱和电流将 。 [ A增大 B减小 C不变 D等于零 2．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 。 [ A 非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区 3．直接耦合放大电路存 在零点漂移的原因主要是 。 [ A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响 4．差动放大电路的 主要特点是 。 [ A 有效放大差模信号，有力抑制共模信号； B 既放大差模信号，又放大共模信号 C 有效放大共模信号，有力抑制差模信号； D 既抑制差模信号，又抑制共模信号。 5．互补输出级采用 射极输出方式是为了使 。 [ A 电压放大倍数高 B 输出电流小 C 输出电阻增大 D 带负载能力强 6．集成运放电路采用 直接耦合方式是因为 。 [ A 可获得较高增益 B 可使温漂变小 C 在集成工艺中难于制造大电容 D 可以增大输入电阻  ] ]  ] ] ] ] 7．放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 。 [ A 耦合电容和旁路电容的影响 B 晶体管极间电容和分布电容的影响 C 晶体管的非线性特性 D 放大电路的静态工作点设置不合适  ] 8．当信号频率等于放大电路的  f L  和  f H  时，  放大倍数的数值将下降到中频时的  。 A 0.5 倍  B 0.7 倍  C 0.9 倍  D 1.2 倍  [  ] 9．在输入量不变的情况下， 若  引入反馈后  ，则说明引入的是负反馈。  [  ] A 输入电阻增大 B 输出 10．带通滤波器所对应的幅频特性 A、 AV  量增大 为  B、  C 净输入量增大 。 A V  D 净输入量减小 [  ] AVMAX  A VMAX o f o f C、 A V D、 A V A VMAX A VMAX o f o f 三、判断以下电路能否放大交流信号， 若不能，请改 正其中的错误使其能起放大作用。 （12分） （A） （B） （C） 四、请判断下列电路中的反馈的类型，并说明 哪些元件起反馈作用。（8 分） 五、综合题（  （ A） 50 分）  （B） 1．（ 6 分）稳压管稳压电路如图所示。已知稳 I Z=5～20mA，额定功率为 200mW，限流电阻  压管稳压值为 V Z=6V，稳定电流范围为 R=500 。试求： （1） 当 Vi  20V  , RL  1K  时，  V0  ? （2） 当 Vi  20V  , RL  100  时，  V0  ? 2、（14 分）单级放大电路 如图 ：在输入信号的 中频 段 C 、 C 、C 对交流短路， 已知： V =12V 、 R =150K Ω 、R =150K Ω、 R 1 2 3 =10K Ω、β =100、 =5.1K Ω、 R =2K Ω、 R CC 1 2 C Z、 e 、 L 1 23 μ=5PF(即 Cbc 、 T =100MH BE r bb’Ω， C =C =C =10μ F、 C ) f V =0.7V =200 试求： 1）放大电路的 Q 点参数； 2）画出交流小信号等效电路，求 AV , Ri , RO 的值； 3）求电路上限频率 f H ； 4）若 C2 断开，将对 Q 点， AV , Ri , RO 产生何种影响？ 3、 （10 分） OCL 功率 放 大电路 如图，其中 A 为理想运放。 已知 VCES1 VVCES 2 1V ，RL =8Ω。 （1）求电路最大输出功率 POMAX （2）求电路电压放大倍数 AV VO =？ V i （3）简述 D1 、D2 的作 用 4、 （10 分）判断 如