半导体光刻胶行业专题报告.docx

? ? ? ? ? ? ? 半导体光刻胶行业专题报告 国产半导体光刻胶迎发展良机 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 光刻是半导体制造微图形工艺的核心，光刻胶是关键材料 光刻胶是光刻工艺中最关键材料，国产替代需求紧迫。光刻工艺是指在光照作用下，借助 光刻胶将掩膜版上的图形转移到基片上的技术，在半导体制造领域，随着集成电路线宽缩 小、集成度大为提升，光刻工艺技术难度大幅提升，成为延续摩尔定律的关键技术之一。 同时，器件和走线的复杂度和密集度大幅度提升，高端制程关键层次需要两次甚至多次曝 光来实现。其中，光刻胶的质量和性能是影响集成电路性能、成品率及可靠性的关键因素。 目前，日本和美国光刻胶巨头完全主导了高端光刻胶市场。2019 年 7 月的日韩贸易摩擦 中，日本通过限制对韩出口光刻胶，引发韩国半导体产业链震荡。中美贸易摩擦大背景下， 光刻胶也成为深刻影响中国半导体产业链安全的关键材料。 光刻胶是光刻工艺的核心材料 光刻胶又称光致抗蚀剂，它是指由感光树脂、增感剂和溶剂三种主要成分构成的对光敏感 的混合液体。在紫外光、电子束、离子束、X 射线等辐射的作用下，其感光树脂的溶解度 及亲和性由于光固化反应而发生变化，经适当溶剂处理，溶去可溶部分可获得所需图像。 生产光刻胶的原料包括光引发剂（包括光增感剂、光致产酸剂）、光刻胶树脂、单体及其 他助剂等。根据 2020 年前瞻产业研究院报告《2020-2025 年中国光刻胶行业市场前瞻与投 资规划分析报告》数据显示，树脂占光刻胶总成本的 50%，在光刻胶各成分的中占比最大， 其次是占 35%的单体和占 15%的光引发剂及其他助体。 半导体光刻胶行业壁垒明显，市场遭遇国外垄断 半导体光刻胶属高精尖材料，随光刻工艺演进细分种类繁多 光刻胶所属产业链覆盖范围广泛，从上游的基础化工材料行业和精细化学品行业，到中游 光刻胶制备，再到下游电子加工商和电子产品应用终端。光刻胶是微电子领域微细图形加 工核心上游材料，占据了电子材料至高点。 光刻胶专用化学品具有市场集中度高、技术壁垒高、客户壁垒高的特点。相同用途的光刻 胶需要大量投资，行业退出壁垒较大，同时光刻胶专用化学品相似特征较多，例如品种多， 用量少，品质要求高等特点。又由于市场相比下游行业的市场份额小，因此行业的集中度 高；光刻胶用于微小图形的加工，生产工艺复杂，技术壁垒较高。多重技术因素综合考虑 使光刻胶的技术壁垒较高；光刻胶的客户壁垒较高，市场上光刻胶产品的更新速度较快， 光刻胶厂家为了实现技术保密性，从而会与上游的原料供应商保持密切合作关系，共同研 发新技术，增大了客户的转换成本。因此，光刻胶行业的上下游合作处于互相依赖互相依 存的关系，使得客户的进入壁垒较高。 为了匹配集成电路对密度和集成度水平，制备光刻胶的分辨率水平由紫外宽谱逐步至 g 线 （436nm）、i 线（365nm）、KrF（248nm）、ArF（193nm）、F2（157nm），以及最先进 的 EUV(13.5nm)线水平。同时，双重曝光（Double-Patterning）在 16nm 制程被台积电 引入，多重曝光（Multiple-Patterning）在之后的先进制程被相继采用实现更小的线宽， 先进制程需要更多的曝光层数为光刻胶用量提供增长空间。 全球半导体技术持续演进，光刻胶发展空间扩大 随着半导体制程技术发展，半导体光刻胶市场规模持续扩大，技术上发展出了适配 EUV 光刻的光刻胶。根据 SEMI 数据，2016 年全球半导体用光刻胶及配套材料市场分别达到 14.5 亿美元和 19.1 亿美元，分别较 2015 年同比增长 9.0%和 8.0%。2017 和 2018 年全 球半导体用光刻胶市场已分别达到 16.0 亿美元和 17.3 亿美元，2019 年，全球半导体光 刻胶市场达到 17.7 亿美元。从半导体光刻胶细分市场分析，根据美国半导体产业协会的 统计，2018 年高端的干法和湿法 ArF 光刻胶占据 42%市场份额，KrF 和 g 线/i 线分别占 据 22%和 24%市场份额。我们认为随着 12 寸先进技术节点生产线的兴建和多次曝光工艺 的大量应用，193nm ArF 及其它先进光刻胶的需求量将快速增加。 器件尺寸随摩尔定律缩小，光刻胶不断革新，多重曝光带来用量提升 逻辑制程跟随摩尔定律，器件线宽由原来的微米级水平进入纳米级水平，带动光刻胶不断 革新来适配更短的曝光光源。2019 年台积电在 N7+引入了四层 EUV 光罩，而在 N5 将 EUV 层数提升到 14-15 层，EUV 光刻胶随之进入商用。 随着芯片集成度提升，电路层数不断增加，光刻层数不断增加，光刻胶用量随之提升。同 时，多重曝光也被引入制