半导体硅片行业专题报告.docx

? ? ? ? ? ? ? 半导体硅片行业专题报告 景气上行，百舸争流勇进者胜 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 1. 半导体硅片：半导体材料之最大宗产品 1.1 硅片：半导体产业重要基础材料 半导体硅片行业处于产业链的上游，是半导体材料中最为大宗的品类，为半导体行业发 展提供基础支撑。硅材料因其具有单方向导电特性、热敏特性、光电特性、掺杂特性等 优良性能，可以生长为大尺寸高纯度晶体，且储量丰富、价格低廉，故成为全球应用最 广泛、最重要的半导体基础材料。硅片是制造芯片的基本衬底材料，也是唯一贯穿各道 芯片前道制程的半导体材料，目前全球半导体市场中，90%以上的芯片和传感器都是基于 硅材料制造而成。 半导体硅片在半导体制造材料中销售额占比最高，产业地位处于核心位置。半导体制造 材料主要包括硅片、电子气体、光掩膜、光刻胶配套化学品、抛光材料、光刻胶、湿法 化学品与溅射靶材等。根据 SEMI 统计，2018 年硅片、电子气体、光掩膜、光刻胶配套 化学品的销售额分别为 120.98 亿美元、42.73 亿美元、40.41 亿美元、22.76 亿美元，分别 占全球半导体制造材料行业 36.64%、12.94%、12.24%、6.89%的市场份额，其中半导体 硅片销售额占比最高，为半导体制造的核心材料。 按半导体硅片应用场景划分，硅片主要可分为正片、陪片。正片可直接用于晶圆制造， 而陪片又按功能分为测试片（Test Wafer）、挡片（Dummy Wafer）和控片（Monitor Wafer）。 测试片主要用于实验及检查等用途，也用于制造设备投入使用初期以提高设备稳定性； 挡片用于新产线调试以及晶圆生产控制中对正片的保护；控片多用于正式生产前对新工 艺测试、监控良率，同时为监控正式生产过程中的工艺精度及良率，需要在晶圆正片生 产过程中插入控片增加监控频率。 挡片和控片一般是由晶棒两侧品质较差段切割出来。另外，部分挡控片可重复使用。由 于挡控片作为辅助生产使用且用量巨大，晶圆厂通常会回收用过的挡片，经研磨抛光， 重复使用数次；而控片则需具体情况具体对待，用在某些特殊制程的控片无法回收使用， 可以回收重复利用的挡控片又被称为可再生硅片。 1.2 半导体硅片加工流程长，单晶硅生长技术尤为关键 半导体硅片的生产流程较长，涉及工艺较多。半导体抛光片生产环节包含了拉晶、滚圆、 切割、研磨、蚀刻、抛光、清洗等工艺；半导体外延片生产过程主要为在抛光片的基础 上进行外延生长；SOI 硅片主要采用键合或离子注入等方式制作。半导体硅片每一个工艺 环节均会影响产成品的质量、性能与可靠性。 目前工业上生产单晶硅通常采用的是直拉法（CZ 法），它是制造单晶硅的一种重要方法， 当今 90％以上的单晶硅都是用直拉法生产的。此外，区熔法也是制造单晶硅的另一种方 法，其最大需求来自于功率半导体器件。 （1）直拉法 直拉法简称 CZ 法。CZ 法的特点是在一个直筒型的热系统汇总，用石墨电阻加热，将装 在高纯度石英坩埚中的多晶硅熔化，然后将籽晶插入熔体表面进行熔接，同时转动籽晶， 再反转坩埚，籽晶缓慢向上提升，经过引晶、放大、转肩、等径生长、收尾等过程，得 到单晶硅。这种技术能够实现低微缺陷单晶生长，可以有效的控制晶体的微缺陷密度， 提高晶体质量以满足各技术节点对硅片的技术要求，有效的控制晶体中的杂质含量，最 大程度降低对操作工人的依赖，保证拉制晶体质量的重复性、稳定性和一致性，同时提 高产出良率，降低单晶生长成本。 （2）区熔法 区熔法简称 FZ 发，是利用多晶锭分区熔化和结晶半导体晶体生长的一种方法，利用热能 在半导体棒料的一端产生一熔区，再熔接单晶籽晶。调节温度使熔区缓慢地向棒的另一 端移动，通过整根棒料，生长成一根单晶，晶向与籽晶的相同。 根据制造工艺分类，半导体硅片主要可以分为抛光片、外延片与以 SOI 硅片为代表的高 端硅基材料。单晶硅锭经过切割、研磨和抛光处理后得到抛光片。抛光片经过外延生长 形成外延片，抛光片经过氧化、键合或离子注入等工艺处理后形成 SOI 硅片。 根据掺杂程度的不同，半导体硅片主要分为轻掺硅片和重掺硅片。对于硅抛光片，可分 为轻掺硅抛光片和重掺硅抛光片，掺杂元素的掺入量越大，硅抛光片的电阻率越低。轻掺硅抛光片广泛应用于大规模集成电路的制造，也有部分用作硅外延片的衬底材料。重 掺硅抛光片一般用作硅外延片的衬底材料。对于硅外延片，根据衬底片的掺杂浓度不同， 分为轻掺杂衬底外延片和重掺杂衬底外延片。前者通过生长高质量的外延层，可以提高 CMOS 栅氧化层完整性、改善沟道漏电、提高集成电路可靠性，后者结合了重掺杂衬底 片和外延层的特点，在保证器件反向击穿电压的同时又能有效降低器件的正向功耗。