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集成霍尔器件的一个仿真模型及其应用 导语：?提出了使用CMOS工艺的集成霍尔器件的一个新的电阻仿真模型。可用于设计集成霍尔传感器的整体设计，将磁信号转换为电信号 摘 要：提出了使用CMOS工艺的集成霍尔器件的一个新的电阻仿真模型。可用于设计集成霍尔传感器的整体设计，将磁信号转换为电信号。使用Verilog-A HDL语言实现，并且用Spectre电路仿真器执行，可实现宽温度范围应用。行为方程和行为参数建立在霍尔器件的基本理论和半导体物理的基础上并且经过电路仿真验证。为了提供对集成霍尔传感器的仿真方便性，使用了必要的Verilog-A HDL实现的磁场模型和霍尔模型。关键词：霍尔传感器;电阻模型;Verilog-A HDL;行为级仿真Abstract：A new simulation model for Hall devices in CMOS silicon technology is proposed. Transient effects caused by wide operational range in temperature were taken into account in Verilog-A HDL and implemented in Spectre Circuit Simulator. Behavioral equations and parameters are based on fundamental theory of Hall devices and semiconductor physics and verified experimentally. In order to provide the convenience of simulation about integrated Hall sensors, magnetic field model and Hall model are build in Verilog-A HDL.Key words : Hall sensors; resistance model ; Verilog-A HDL; behavioral simulation一、引言　　集成传感器的精确性日益提高的需要以及电子电路设计中的新技术更新和霍尔器件作为传感器越来越重要[4]，导致对于使用硅工艺的这些传感器精确仿真模型的需求。由于高度集成的霍尔传感器具有小尺寸，高精确度和低价位的特点，他们在很大应用范围内具有越来越广泛的吸引力。为了保持这种吸引力，并且满足未来所有的客户在功能上、性能上和稳定性上的需求，CMOS硅工艺是霍尔传感器大批量生产的首选。二、霍尔元件的电阻模型　　一个集成霍尔传感器单元的形状类似于一个扩散电阻，只不过为了测量霍尔电压，它比普通的扩散电阻多两个直角的接触孔。集成霍尔传感器单元的工艺实现具有各种各样的俯视图，其中有圆形、正方形、长方形和十字架形状等。 详情请点击：集成霍尔器件的一个仿真模型及其应用